11.1 定义材料要定义材料，请执行以下步骤。 x~3N})T5 步骤 执行 ]34 fG3D| 1) 从“文件”菜单中，选择“新建”。出现“初始属性”对话框（参见图2） |qe[`x;
% 39Nz>Nu: 图2.初始属性对话框 cP8g. +
使用“初始属性”对话框指定基本参数。 这些参数可以稍后在会话框中进行更改，因为希望这些参数较少地改变，因此在项目创建开始时对其进行设置。 例如，预期诸如折射率之类的属性在设计会话中将比设计中的其他属性（例如系统几何形状）更少地改变。 轮廓是用来确定横向平面中波导几何形状的规格。通道波导包含多层结构，光纤具有圆形横截面，扩散波导具有渐变折射率指数。 这些定义在设计会话中比几何体布局更改地更少。 }XHB7, FO[x
c; 2) 单击“轮廓”和“材料”。将出现“轮廓设计器”窗口（参见图3）。 rLP:kP'b vZhC_G+tGd 图3.轮廓设计器窗口 2;&K*>g&.
OptiBPM Designer1是我们正在使用的项目的临时名称。 保存项目时，可以给它一个更有意义的名称。 VS.~gHx S)`%clN}J 3) 在OptiBPM_Designer1的目录下，在“材料”文件夹下，右键单击“电介质”文件夹。 xLX 2F 出现一个右键菜单。 jd>ug=~x
,v<G SiO 4) 选择新建。 ,_+Gb 出现Dielectric1对话框（参见图4）。 ~O|g~H5; pf&H !-M 图4.介质对话框
o;w 5;Tk Y 5) 键入以下信息： 6b!F7ky g 名称：Core 8s+9PE 折射率（Re :)：1.46 ,hO*W-a% 1 6) 单击各向异性选项卡并键入折射率Re的实部： 1.46 ^~dBO %M^ 7) 要保存材料，请单击“存储”。 F"|OcKAA}h 名称Core出现在目录中的Dielectric文件夹和对话框标题栏中。 b({K6#?'[ 注意：您可以打开对话框，或关闭对话框以防止“轮廓设计器”窗口变得混乱。 o hLM9mc9 ?LxBH -o( 折射率有两种定义，因为在2D计算中，折射率通常不是物理指标，而是有效的指标。 2D标签是保存有效折射率的地方; 当有效折射率放置在2D选项卡中时，仅在执行2D模拟时才使用。 3D BPM和模式解算器将使用其他选项卡中的定义。 w ? ;j5[j 8) 单击各向异性选项卡 10gh4,z[ 在项目中的某个时刻，可能会使用其他BPM模拟器，可以接受各向异性材料。 各向异性材料的特征在于介电常数张量（见图5）。 材料Core可以在这种环境中使用（尽管它本身不是各向异性的），因此默认情况下，OptiBPM会自动设置适当的对角线介电常数张量，即主对角线中的n2。 如果需要指定各向异性材料，请取消选中默认复选框并输入相应的常数（参见图5）。 kJP` C\4}f u4eA++ e T 图5.3D各向异性标签
! !KA9mP 9) 重复步骤3）至6），并键入以下信息（参见图6） )~>
C1< 名字：Clad [ :Upn)9 折射率（Re :)：1.44 ~-J!WC==U 10) 要保存信息，请单击“存储”。 : }B=Bk/q Clad出现在目录和对话框标题栏中的Dielectric文件夹中。 3P,
ul*e +Oxw? `I$ 图6 包层定义 -e2f8PV?3
11.2 定义2D和3D通道轮廓 z*oe ho 要提供2D和3D轮廓的定义，请执行以下步骤。 b7uxCH]Z
步骤 操作 *(+*tj cWa 1) 在OptiBPM_Designer1下的“Profiles”文件夹下的目录下，右键单击“Channel”文件夹。 )G+D6s23 出现一个右键菜单。 J]AkWEiCJ 2) 选择新建。 Y|
dw>qO 出现“通道”对话框。 `T#Jiq E 注意：要确保您可以查看所有场，请最大化ChannelPro对话框。 z<I@SI^> 3) 输入轮廓文件名称：BuriedWg r*F^8_YMK 4) 提供2D配置轮廓定义： .`ZuUr • 在2D轮廓定义下，在“材料”组合框列表中，单击新定义的材质“Core”。 @r130eLh 通过选择Core，如果2D模拟器被调用，与配置文件名称BuriedWg相关联的波导内的任何点将具有Core的2D规范中定义的折射率。 ._X|Ye9/ w/49O;r V 图7 2D轮廓定义 YqQAogy h
通道轮廓文件由外延方向的层和这些在3D轮廓面板中被定义层组成。 ##QK XSD 5) 要指定3D轮廓定义： t 3l - ] a. 在3D轮廓定义下，键入以下信息： IE*5p6IM~ 层名称：Channel1（通道1） l_lK,=cLj+ 宽度：1.0 ,5XDH6L1 厚度：2 fD* ?JzVY 偏移量：0 8
*Y(wqH b. 在材料清单中，选择Core。 )x<oRH x] c. 单击添加。 ?PSJQ3BC| 您输入的信息显示在3D配置文件定义窗口中。 #qcF2&a% 6) 要保存通道轮廓文件，请单击“存储”。 6uu49x_^L4 BuriedWg出现在目录中的Channel文件夹中，在Profile Designer标题栏和设计底部的选项卡上（参见图8）。 @{ CP18~: 图8 定义通道轮廓
7) 要返回OptiBPM布局设计器窗口，请最小化“轮廓设计器”窗口。 3vc2t6S%* 出现OptiBPM GUI和初始属性对话框。 Io*mFa? o4qB0h 11.3定义布局设置 qX"m"ko 要定义布局设置，请执行以下步骤： Q2LAXTF]y 步骤 操作 m=#< 1) 在“初始属性”对话框中，单击“默认波导”标签。 D,,$ 2) 键入以下值： DQy;W ov 宽度：4.0 u-k! h 注意：所有波导将使用该值作为默认宽度。 e_ h`x+\: 3) 在轮廓列表中，单击新定义的BuriedWg（参见图9）。 /ReOf<%B 注意：可以随时更改默认的或者相关联的任意单个波导（在“波导布局设计器”中，选择“编辑”>“默认波导”）。 KB`">zq$u krSOS W J 图9初始属性对话框 - 默认波导选项卡 vO
3-B
要在平面视图中指定分析区域的大小： 8h{;*W r- 4) 单击“晶圆尺寸”选项卡。 b/ g~;| < 键入以下值（参见图10）。 PBY;S G ~ 长度：800 k:0nj!^4w> 宽度：40 3FQXp
>U#j\2!Sg 图10初始属性对话框 - “晶圆尺寸”选项卡
指定任意点的材料并不包含波导内部（对于2D计算）： btDP P k' 5) 单击“2D晶圆属性”选项卡 _h1:{hF 6) 在晶圆折射率中，在“材质”列表中，单击“包层”。 FNHJHuTe nK>D& S_! 在3D计算的情况下，需要提供更多的信息，因为通常用于基底的材料与用于包层的材料不同。 另外，需要规定层的厚度。 在这种情况下，我们在掩埋波导中以相同的材料来定义基底和包层。 注意，这不是基底或包层的实际厚度。 相反，这些数字指定计算窗口的边界。 基底的理想厚度将是足够大以容纳被分析的波导模式，但又不能太厚以避免网格的精度受损。 在实际工作中，随着波导设计经验的增加，这些尺寸将需要在后期进行优化。 但是，可以稍后更改这些尺寸（在“波导布局设计器”中，选择“编辑”>“晶圆属性”）。 QG]*v=Z 要指定与任何不在任何波导内的点相关联的材料进行3D计算： IuOQ X} 7) 单击“3D晶片属性”选项卡。 p8X$ yv 8) 在“包层”面板中，选择“材料：包层”，然后键入“厚度”：17。 KKGwMJku} 9) 在“基底”面板中，选择“材料：包层”，然后键入“厚度”：15 ]%<0V,G
q
d x)v`.%V 图11初始属性对话框 - “3D晶圆属性”选项卡
10) 要将设置应用于布局，请单击“确定”。 Y}hz UKJ 将显示项目布局窗口。 'l41];_ 注意：最大化项目布局窗口并调整放大倍率（+ - 按钮），使布局在屏幕上显示为适当的大小。 tK LAA +Z 将项目保存为GettingStarted.bpd，以恢复目前已完成。 如果要保留记录此项目中间步骤的文件，请使用SaveAs功能。 保存文件后，轮廓设计器中树的名称为“GettingStarted”，保存的名称将替换临时名称“OptiBPMDesigner 1”（见图7）。 同样，如果您在OptiBPM中打开其他项目，则将在轮廓设计器中创建与新打开的项目名称相同的新分支。 1vL$k[^&d
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未完待续
