芯片工艺及光电特性介绍,43页PPT文档,需要的下载。 18&"j 8'm
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半导体激光器具体设计: FO!Td
根据不同的应用要求需要激光器有许多不同的设计: bA;OphO(
据光纤通信系统的要求,发射器件一般采用1310nm、1550nm波长的F-P或DFB结构大功率、高线性以及温度特性好的器件:普通采用InGaAsP/InP材料系MQW有源层设计,如果要求较大温度范围内工作的无制冷激光器可以采用AlGaInAs/InP材料系MQW有源层设计;根据应用要求可以制作F-P、DFB结构 ,根据波导结构可以制作RWG和BH两种 。 Od1\$\4Z