[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ;Ob^@OM  
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一. 半导体激光器的基本结构 T'Jl,)"  
•1.半导体双异质结构 |~v2~   
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) UsCaO<A  
•3. 侧模控制(基侧模) hoiC J}us  
•4.横模控制 V~-tp^  
•5. 动态单模半导体激光器 ,CBE&g  
•6. 波长可调谐半导体激光器 F
[B=sI  
•7.长波长VCSEL的进展 8h=K S   
•8.微腔激光器和光子晶体 A^|~>9  
•9.半导体激光器材料的选择 3<1x>e2nT  
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二.半导体光波导 &:}WfY!hX  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 QM~~b=P,\  
•2. 光限制因子和模式增益 fCX8s(
|F  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 s?Gv/&  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 UuZjf9}  
•5. DFB激光器的藕合模理论 M D&7k,!  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 F0kAQgUv  
•7. 等效折射率近似 (7$BF~s:,  
•8. 数值模拟 fgA-+y  
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三.半导体中的光跃迁和增益 r&F 6ZCw  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 9.9B#?  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 4l>d^L  
•3.简约态密度及增益谱 S C}@eA'  
•4.模式的自发辐射速率 hdmKD0  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 (bB"6 #TI  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 v@J[qpX  
•7.增益谱峰值的近似表达式 i{Du6j^j  
,.|/B^jV  
四. 速率方程和动态效应 R`Hy0;X  
•1．单模速率方程及基本物理量 Uaj_,qb(  
•2．稳态输出 h$6~3^g:P  
•3. 共振频率和3dB带宽 Czy}~;_Ay  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 -I;\9r+  
•5. 开启延迟时间 ;Z`R!  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 b0x%#trA{  
•7. 自发辐射引起的噪声 /?S^#q>m%  
•8. 相对强度噪声 LEX @hkh  
•9. 模式线宽 bu08`P
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•10. 多模速率方程 z"Cyjmg"  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 Krl9O]H/[  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 kN#3HI]8  
3.激光器寿命 (I+e@UUiL  
4.激光器阈值电流的温度特性 cVr+Wp7K#|  
T)ISDK4>S"  
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