[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 rAQF9O[  
$mA5@O~C5\  
一. 半导体激光器的基本结构 T_<BVM  
•1.半导体双异质结构 aaWJ* >rJ  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) mV9A{h  
•3. 侧模控制(基侧模) Wx)K*9  
•4.横模控制 !wLg67X$ -  
•5. 动态单模半导体激光器 [LM^),J?  
•6. 波长可调谐半导体激光器 0m9ZQ O  
•7.长波长VCSEL的进展 h7_)%U<J2  
•8.微腔激光器和光子晶体 X7*`  
•9.半导体激光器材料的选择 24\gbv<  
J#3{S]*v_  
二.半导体光波导 7q9gngT1LA  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 u3tZ[Y2 c  
•2. 光限制因子和模式增益 ET^|z  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 f%qt)Ick  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 6\dX
 
•5. DFB激光器的藕合模理论 cm>E[SHr  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 7_KhV  
•7. 等效折射率近似 1@sM1WMX  
•8. 数值模拟 @fn6<3  
ek-!b!iI  
三.半导体中的光跃迁和增益 ^gro=Bp(  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 !#D=w$@r:  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 q(z7~:+qNr  
•3.简约态密度及增益谱 FJM;X-UOY  
•4.模式的自发辐射速率 *8g<R  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2C+(":=}  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 FY;+PY@I{  
•7.增益谱峰值的近似表达式 (hZ:X)E>  
hY\{|  
四. 速率方程和动态效应 L0h G  
•1．单模速率方程及基本物理量 "4}wnu6/  
•2．稳态输出 sroGER.  
•3. 共振频率和3dB带宽 ?p8Qx\%*  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 f$xhb3Qn  
•5. 开启延迟时间 ')PVGV(D+  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 (7q^FtjA#  
•7. 自发辐射引起的噪声 ~\_T5/I%  
•8. 相对强度噪声 2g`[u|  
•9. 模式线宽 )BV=|,j  
•10. 多模速率方程 <4?*$  
p%RUHN3G[  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 <DiOWi  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 pVokgUrC  
3.激光器寿命 s^C;>  
4.激光器阈值电流的温度特性 saK;[&I*  
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