[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 inh=WUEW  
qI#;j%V  
一. 半导体激光器的基本结构 CGY]r.O*  
•1.半导体双异质结构 l5Gq|!2yxD  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 60J;sGW  
•3. 侧模控制(基侧模) SYCEQ5 -  
•4.横模控制 Yu)NO\3&  
•5. 动态单模半导体激光器 ^c^#dpn  
•6. 波长可调谐半导体激光器 ST:A<Da"  
•7.长波长VCSEL的进展 [lWQ'DZ  
•8.微腔激光器和光子晶体 $$Oey)*  
•9.半导体激光器材料的选择 5=v}W:^v.  
+nXK-g;)'  
二.半导体光波导 xv(9IEjt0  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 "Zl5<  
•2. 光限制因子和模式增益 {`LU+  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 x:),P-~w  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 .1KhBgy^K  
•5. DFB激光器的藕合模理论 [d(U38BI  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 8Kg n"M3  
•7. 等效折射率近似 ADDSCY=,  
•8. 数值模拟 r'^Hg/Jzt  
}1Gv)l7  
三.半导体中的光跃迁和增益 Z>)Bp/-  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 jQ2Ot<  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 PsnWWj?c  
•3.简约态密度及增益谱 ^p[rc@+  
•4.模式的自发辐射速率 >O*IQ[r-  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 :=u?Fqqws  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 /?@3.3sl_  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ^l9N48]|?  
_ba>19csq%  
四. 速率方程和动态效应 fVF2-Rh=  
•1．单模速率方程及基本物理量 _jLL_GD  
•2．稳态输出 6$kqa
S##  
•3. 共振频率和3dB带宽 5ymk\Lw  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 `Aw^H!  
•5. 开启延迟时间 ABQ('#78  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =]6%G7T  
•7. 自发辐射引起的噪声 `UD/}j@  
•8. 相对强度噪声 fI&t]  
•9. 模式线宽 06O2:5zF  
•10. 多模速率方程 oB}BU`-l  
yE:+Lo`>  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 =/s>Q l  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 a1C{(f)  
3.激光器寿命 X:HacYqtC  
4.激光器阈值电流的温度特性 ?[@J8  
/t+f{VX$  
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