[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ais"xm
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QW}N,j$  
一. 半导体激光器的基本结构 ^<'=]?xr  
•1.半导体双异质结构 k7Xa|&fQP<  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) OLxiY r  
•3. 侧模控制(基侧模) Y[ toN9,  
•4.横模控制 /*{s1Zcb  
•5. 动态单模半导体激光器 x AR9* <-  
•6. 波长可调谐半导体激光器 o8ADAU"  
•7.长波长VCSEL的进展 n8>(m,  
•8.微腔激光器和光子晶体 q%GlS=o"  
•9.半导体激光器材料的选择 5J8U] :Y)  
=P<7tsSuoK  
二.半导体光波导 cYp]zn+6  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 SdBo sB3v>  
•2. 光限制因子和模式增益 ;3WVrYe  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 (Puag*  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 %,G0)t   
•5. DFB激光器的藕合模理论 {kgV3 [%>  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 F2RU7o'f.  
•7. 等效折射率近似 3]}wZY0  
•8. 数值模拟 $17utJ58  
P mgTTI  
三.半导体中的光跃迁和增益 x*uQBNf=  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 z>X<Di&x)  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 %) 8 UyZG  
•3.简约态密度及增益谱 7ClN-/4  
•4.模式的自发辐射速率 PF?tEw_WB  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 p$ %D  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Ov=^}T4zl  
•7.增益谱峰值的近似表达式 #^fDKM  
UFy"hJchO  
四. 速率方程和动态效应 jN43vHm\Y9  
•1．单模速率方程及基本物理量 <Sx-Ca7  
•2．稳态输出 }?jL;CCe  
•3. 共振频率和3dB带宽 ~4fjFo&_\  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 VUaYK  
•5. 开启延迟时间 ..xg4V/  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 HqpwQ  
•7. 自发辐射引起的噪声 ]ozZW:  
•8. 相对强度噪声 4<`'?  
•9. 模式线宽 qZ6Mk9@M  
•10. 多模速率方程 'X$2gD3c9  
Oy^)lF/  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 o%E^41
M7E  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 HG/`5$L +}  
3.激光器寿命 3;6Criq}  
4.激光器阈值电流的温度特性 D> |R.{  
P=%'2BQ{{  
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