[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 .ImaM  
_!',%+  
一. 半导体激光器的基本结构 |Ghk8 WA  
•1.半导体双异质结构 +Dy^4p?o  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 1Nt &+o  
•3. 侧模控制(基侧模) Ki;SONSV~|  
•4.横模控制 E]`7_dG+T  
•5. 动态单模半导体激光器 }S/i3$F0~  
•6. 波长可调谐半导体激光器 dDPQDIx  
•7.长波长VCSEL的进展 G>V6{g2Q  
•8.微腔激光器和光子晶体 {.:$F3T  
•9.半导体激光器材料的选择 Z4VFfGCTL  
jn2=)KBa_  
二.半导体光波导 *1dDs^D#|  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 KG'i#(u[  
•2. 光限制因子和模式增益 >aVgI<   
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 qNEp3WY:  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 |u&cN-}C d  
•5. DFB激光器的藕合模理论 fM;,9  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 L|'^P3#7`  
•7. 等效折射率近似 So a
qmY;+  
•8. 数值模拟 !__0Vk[s  
,S-h~x  
三.半导体中的光跃迁和增益 @RoZd?  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 &N7ji  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 79h~w{IT@  
•3.简约态密度及增益谱 8 t5kou]h  
•4.模式的自发辐射速率 "}]$ag!`q$  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ! xCo{U=  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 I^?tF'E  
•7.增益谱峰值的近似表达式 PXb$]HV  
M5^Y W#e  
四. 速率方程和动态效应 A'|!O:s   
•1．单模速率方程及基本物理量 W7>2&$
  
•2．稳态输出 9@ tp#  
•3. 共振频率和3dB带宽 Zl
9@E;|=  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 w_(3{P[Iz  
•5. 开启延迟时间 HxG8'G  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 isZ5s\  
•7. 自发辐射引起的噪声 %nZ
l`<M  
•8. 相对强度噪声 {D+mr[ %  
•9. 模式线宽 ~r--dU  
•10. 多模速率方程 7j]v_2S`  
@]@|H?  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 qLN\%}69/  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 =kd$??F  
3.激光器寿命 qA)OkR'm  
4.激光器阈值电流的温度特性 "`vRHeCKN  
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