[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ^#gJf*'UE  
;UpdkY 1  
一. 半导体激光器的基本结构 `c)[aP{vN  
•1.半导体双异质结构 6w`.'5  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 7TtDI=f  
•3. 侧模控制(基侧模) ]y9u5H^  
•4.横模控制 oL U!x
 
•5. 动态单模半导体激光器 1<G,0Lt  
•6. 波长可调谐半导体激光器 .QW@rV:T  
•7.长波长VCSEL的进展 Vd;NT$S$  
•8.微腔激光器和光子晶体 a)S{9q}%  
•9.半导体激光器材料的选择 6o.Dgt/f  
cv5+[;(b  
二.半导体光波导 XUVBD;"f!  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 uCHM  
•2. 光限制因子和模式增益 }ijFvIHV  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 "_0sW3rG  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 9\Md.>  
•5. DFB激光器的藕合模理论 PDpuHHB  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 uquY z_2  
•7. 等效折射率近似 1*?XI  
•8. 数值模拟 {)I&&fSz  
fQxlYD'peb  
三.半导体中的光跃迁和增益 X`C ozyYuD  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ,&iEn}xG7i  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 mKJO?7tj  
•3.简约态密度及增益谱 q*
!Vyk  
•4.模式的自发辐射速率 =5O&4G`}  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 kl|m @Nxp
 
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 d@?zCFD  
•7.增益谱峰值的近似表达式 qtjx<`EK>  
aJJ)ZP2+  
四. 速率方程和动态效应 06 an(&a9  
•1．单模速率方程及基本物理量 =, 64Qbau  
•2．稳态输出 'soll[J  
•3. 共振频率和3dB带宽 t(99m=9>  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 <9[>+X  
•5. 开启延迟时间 62o nMY  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 io
w"X6_l_  
•7. 自发辐射引起的噪声 ikb;,Js  
•8. 相对强度噪声 m'KEN<)s  
•9. 模式线宽 f3*SIKi  
•10. 多模速率方程 "td ,YVK  
D1V^DbUm_  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 B$G9#G6pZ  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 UW Px|]RC  
3.激光器寿命 [33=+Ca  
4.激光器阈值电流的温度特性 |[@v+koq  
-+0!Fkt@,  
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