[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 *W,tq(%tQ  
29{Ep  
一. 半导体激光器的基本结构 :cU6W2EV  
•1.半导体双异质结构 {=mf/3.r  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ?.Mw  
•3. 侧模控制(基侧模) s|B  
•4.横模控制 7i^7sT8t  
•5. 动态单模半导体激光器 2..b/  
•6. 波长可调谐半导体激光器 [ u7p:?WDW  
•7.长波长VCSEL的进展 Hl-!rP.?0  
•8.微腔激光器和光子晶体 "Kky|(EQ$$  
•9.半导体激光器材料的选择 v0uDL7  
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二.半导体光波导 n7-|\p!xP6  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 1./uJB/  
•2. 光限制因子和模式增益 Su.imM!  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 yF2|w=!  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 `w/:o$&  
•5. DFB激光器的藕合模理论 v:/+OzY  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 pFE&`T@ <  
•7. 等效折射率近似 #9{N[t  
•8. 数值模拟 `;KU^dH  
F<FNZQ@<U  
三.半导体中的光跃迁和增益 Mn$w_Z?  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ZqT8G  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 A"|y<  
•3.简约态密度及增益谱 p5F
=?*[}  
•4.模式的自发辐射速率 ;Q*=AW  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 n-ZOe]3  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 M
R4e.+#E  
•7.增益谱峰值的近似表达式 2XoFmV),F  
: L}Fm2^  
四. 速率方程和动态效应 > mI1wV[  
•1．单模速率方程及基本物理量 ~)J]`el,Q  
•2．稳态输出 D*7JE  
•3. 共振频率和3dB带宽 +5:Dy,F=  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 (41BUX  
•5. 开启延迟时间 >fZ N?>`  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 3JhT  
•7. 自发辐射引起的噪声 3PRg/vD3  
•8. 相对强度噪声 o8<0#W@S  
•9. 模式线宽 %Xe#'qNq)  
•10. 多模速率方程 VN3"$@-POK  
kH;DAphk  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 t2bv nh  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Q=B>Q  
3.激光器寿命 R#"LP7\  
4.激光器阈值电流的温度特性 I^}q;L![\  
~H<oqk:O-  
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