[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 u8gqWsvruM  
8#[2]1X^8  
一. 半导体激光器的基本结构 Zu4au<  
•1.半导体双异质结构 Wiw~oXo  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) LW#U+bv]Dq  
•3. 侧模控制(基侧模) <$ qT(3w<y  
•4.横模控制 Tp.:2[  
•5. 动态单模半导体激光器 ia,5=SKJ  
•6. 波长可调谐半导体激光器 f:6F5G  
•7.长波长VCSEL的进展  FjMKb  
•8.微腔激光器和光子晶体 3!%-O:!  
•9.半导体激光器材料的选择 Nw(hN+_u  
=RZPDu  
二.半导体光波导 f$vU$>+[  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 nW<nOKTnk_  
•2. 光限制因子和模式增益 qJ2Z5  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }^VikT]>1  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 KzQFG)q,  
•5. DFB激光器的藕合模理论 XN{WxcZ  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Uy*d@vU9c  
•7. 等效折射率近似 `TH\0/eE  
•8. 数值模拟 @pH6FXVGzt  
] ^?w0A  
三.半导体中的光跃迁和增益 (?TK P 7  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 g<7Aln}Nl\  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 0gHV(L?  
•3.简约态密度及增益谱 A%x0'?
GU  
•4.模式的自发辐射速率 f=.!/e70  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 !b&+2y2i[W  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 947;6a%$  
•7.增益谱峰值的近似表达式 BoOuN94  
o+)y!  
四. 速率方程和动态效应 Z9|A"[b  
•1．单模速率方程及基本物理量 Lf%=vd  
•2．稳态输出 Ep:hObWG)  
•3. 共振频率和3dB带宽 5ArgM%  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 TY5R=jh=  
•5. 开启延迟时间 Z1:<i*6>D  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 n-{d7haOa  
•7. 自发辐射引起的噪声 jatlv/,  
•8. 相对强度噪声 |MagK$o  
•9. 模式线宽 U$3DIJVI  
•10. 多模速率方程 0-;>O|U3  
z30 mk  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 k+*pg4'  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 +@yU `  
3.激光器寿命 !YI<A\P  
4.激光器阈值电流的温度特性 s:_a.4&Y  
G e5Yz.Qv  
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