半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 l]l'4@1
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一. 半导体激光器的基本结构 i6Emhji
•1.半导体双异质结构 5uj?#)N
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) P:MT*ra*,
•3. 侧模控制(基侧模) 57']#j#"hj
•4.横模控制 &(l9?EVq1
•5. 动态单模半导体激光器 ?QdWrE_
•6. 波长可调谐半导体激光器 >V8-i`
•7.长波长VCSEL的进展 jLHkOk5{:
•8.微腔激光器和光子晶体 :emiQ
•9.半导体激光器材料的选择 z/2//mM
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二.半导体光波导 ]:k/Y$O2
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 eiaFaYe\
•2. 光限制因子和模式增益 !Pfr,a
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 m'=Crei
•4. 半导体激光器镜面反射系数 =|y9UlsD
•5. DFB激光器的藕合模理论 i#Bf"W{F
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 bI9~jWgGp
•7. 等效折射率近似 +.b,AqJ/
•8. 数值模拟 hT&Y#fh
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三.半导体中的光跃迁和增益 U,{eHe ?>T
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ,~@X{7U
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 o&)8o5
•3.简约态密度及增益谱 .glA
gt
•4.模式的自发辐射速率 ;rGwc$?|
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |tMWCA
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 pG^
•7.增益谱峰值的近似表达式 ND#Yenye
}t=!(GOb}
四. 速率方程和动态效应 !v_|zoCEj
•1.单模速率方程及基本物理量 G+"t/?/
•2.稳态输出 $)ijN^hV
•3. 共振频率和3dB带宽 ;yLu R
•4. 载流子输运效应对带宽影响 {
Vf XsI
•5. 开启延迟时间 Zd}9O jz5
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 y@: h4u"3
•7. 自发辐射引起的噪声 e L^|v
•8. 相对强度噪声 RYQR(v
•9. 模式线宽 ~IfJwBn-i
•10. 多模速率方程 z2_*%S@
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 #@9/g
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 d *|Y
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3.激光器寿命 p;59?
4.激光器阈值电流的温度特性 oWim}Er=
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