[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 b*kfWG-6t  
0%Ll  
一. 半导体激光器的基本结构 r,1e 'd:  
•1.半导体双异质结构 7, } $u  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &[vw 0N-  
•3. 侧模控制(基侧模) Uz7oL8  
•4.横模控制 hZXXBp  
•5. 动态单模半导体激光器 =T?}Nt  
•6. 波长可调谐半导体激光器 "r4AY  
•7.长波长VCSEL的进展 - YqYcer  
•8.微腔激光器和光子晶体 N"tFP9;K  
•9.半导体激光器材料的选择 H`hnEOyLp  
JuR"J1MY  
二.半导体光波导 4R^mI  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 M9\#Aq&\i  
•2. 光限制因子和模式增益 LkruL_E>  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 "p&Y^]  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 0oZsb
\  
•5. DFB激光器的藕合模理论 s8"8y
`u  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 yOU(2"8p  
•7. 等效折射率近似 s9;#!7ms  
•8. 数值模拟 4rT*tW"U  
pIV-kI:w  
三.半导体中的光跃迁和增益 Yf,K#' h:  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 7w:ef0S  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 d_UN
0YT<  
•3.简约态密度及增益谱 \uqjs+  
•4.模式的自发辐射速率 S_MyoXV  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 g,tjm(  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 (/d5UIM{&  
•7.增益谱峰值的近似表达式 6k{2 +P  
mYN7kYR}<`  
四. 速率方程和动态效应 r`y ezbG  
•1．单模速率方程及基本物理量 1d"Z>k:mn  
•2．稳态输出 Ei}/iBG@  
•3. 共振频率和3dB带宽 Mv544>:  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ,j
;m!V  
•5. 开启延迟时间 c .3ZXqpI;  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 kE>0M9EdH  
•7. 自发辐射引起的噪声 fqX"Lus `=  
•8. 相对强度噪声 3`d
}~v{  
•9. 模式线宽 'FlJpA}  
•10. 多模速率方程 E1dD7r\  
[Aj Q#;#Q  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 WG*t::NN  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 `g8E1-]l  
3.激光器寿命 kIw`P[  
4.激光器阈值电流的温度特性 [${ QzO  
,g-EW jN  
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