[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 s9Z2EjQV  
SH|$Dg  
一. 半导体激光器的基本结构 0%+k>(@R  
•1.半导体双异质结构 R,1,4X
T  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) uK5x[m
 
•3. 侧模控制(基侧模) Mwc3@  
•4.横模控制 e*s{/a?,  
•5. 动态单模半导体激光器 I0RWdOK8K  
•6. 波长可调谐半导体激光器 LWV`xCr8R  
•7.长波长VCSEL的进展 nTKfwIeg5  
•8.微腔激光器和光子晶体 ,$-PC=Ti(  
•9.半导体激光器材料的选择 -1JHhRr]  
|Wk G='02  
二.半导体光波导 hGV/P94  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 3/FB>w gt  
•2. 光限制因子和模式增益 ;D:T ^4  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 _s8_i6 Y  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 3IFU{0a`  
•5. DFB激光器的藕合模理论 q|J]  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 @1@WB]mQQ  
•7. 等效折射率近似 m@~x*+Iz
 
•8. 数值模拟 )zo ;r!eP  
cC.DBYV+-  
三.半导体中的光跃迁和增益 2_X0Og8s[  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 e IA=?k.y  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 y>8?RX8  
•3.简约态密度及增益谱 <@u6*]  
•4.模式的自发辐射速率 gBu4`M  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 jq{
Ix  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 qE{S'XyM,  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ;zDc0qpw  
[_n|n"M  
四. 速率方程和动态效应 n TG|Isa  
•1．单模速率方程及基本物理量 Vk-_H)*r  
•2．稳态输出 W(YJz#]6_  
•3. 共振频率和3dB带宽 6! 'Xo:p  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 t/|^Nt@XT  
•5. 开启延迟时间 {'!~j!1'j  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 fF%r$`2  
•7. 自发辐射引起的噪声 qv\yQ&pj  
•8. 相对强度噪声 p<4':s;*  
•9. 模式线宽 #SueT"F  
•10. 多模速率方程 whCv9)x  
v0=~PN~E  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 / yCV-L2J  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 FhGbQJ?[3  
3.激光器寿命 {SV$fl;  
4.激光器阈值电流的温度特性 1o%Hn"uG
 
zlE kP @)  
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~