[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 bA,D]  
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一. 半导体激光器的基本结构 ITUl-L4xE  
•1.半导体双异质结构 ~J:lCu  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) E|3aiC,5  
•3. 侧模控制(基侧模) dsuW4^l  
•4.横模控制 nzl,y,  
•5. 动态单模半导体激光器 Zotv]P2k  
•6. 波长可调谐半导体激光器 k]5L\]>y  
•7.长波长VCSEL的进展 5]%kWV>  
•8.微腔激光器和光子晶体 2GS2,  
•9.半导体激光器材料的选择 i.4[]f[/h  
kA`qExw%  
二.半导体光波导 HX*U2<^  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 ['1?'*  
•2. 光限制因子和模式增益 dUSuhT  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }cmL{S  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 DR8dJ#  
•5. DFB激光器的藕合模理论 xG
L"N1  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 m:CpDxzbf  
•7. 等效折射率近似 wX;NU4)n  
•8. 数值模拟 0X w?}  
A79SAheX#  
三.半导体中的光跃迁和增益 2eYkWHi  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 )dcGV$4t[  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 R8*4E0\br  
•3.简约态密度及增益谱 *CSFkWVa  
•4.模式的自发辐射速率 rE~O}2a#H  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 (qdk &  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 \v Go5`  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ElxbHQj6  
2c]O Mtk  
四. 速率方程和动态效应 E;0"1 P|S  
•1．单模速率方程及基本物理量 C?k4<B7V  
•2．稳态输出 7lu;lAAP  
•3. 共振频率和3dB带宽 u}_q'=<\  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 *L_wRhhk  
•5. 开启延迟时间 4V5*6O9(u  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 q9^r2OO  
•7. 自发辐射引起的噪声 X3
vrD{uNU  
•8. 相对强度噪声 z)Gr`SA<  
•9. 模式线宽 ;d:7\  
•10. 多模速率方程 c\opPhJ!0  
j!pxG5%  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ?jnEHn  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ;H.r6  
3.激光器寿命 de[_T%A  
4.激光器阈值电流的温度特性 w
:Vs$,  
WObfHAp.  
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