LED制作
流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓（GaN）基的外延片，这个过程主要是在
金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作 GaN 基外延片所需的
材料源和各种高纯的气体之后，按照
工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有 GaAs、AlN、ZnO 等材料。MOCVD 是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的 NH3 在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制
镀膜成分、晶相等品质。 MOCVD
wZolg~dg 外延炉是制作 LED外延片最常用的
设备。
PDiorW}]k Wa<NId ku8Z;ONeH 接下来是对 LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作 LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对 LED毛 片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的 LED
芯片。如果晶片清洗不够干净，蒸镀
系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片，因此会产生夹痕（在目检必须挑除）。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。
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