|
|
1 国外相关标准化组织 m|/q
o
M1 5jwR!:M
国外相关标准化组织主要有国际电工委员会(IEC)、国际半导体设备与材料组织(SEMI)、国际照明委员会(CIE)。 )qq5WShMJ
KscugX*x
1.1 IEC OV.f+_LS
IEC有关半导体照明标准主要由SC47E(半导体分立器件分技术委员会)和TC34(灯和相关设备技术委员会)制定。 NKX,[o1
K}OY!|
（1） SC47E zJMm=Mw^
该分技术委员会主要制定半导体分立器件相关技术领域用的标准，如文字符号、名词术语、额定值和特性、测试方法、质量保证规范等。其中也包括非光通信系统用的半导体光电器件，如半导体激光器、光电耦合器、发光二极管、光电探测器件等。其中涉及半导体光电器件的工作组是WG4，其制定的与半导体发光二极管相关的标准见表1。 y\C_HCU H
'zUWO_(
 rBLcj;,
o<\u Hr3
（2） TC34 VfFX H,j
该技术委员会主要制定日光灯及启辉器、传统灯及灯具、连接器、控制器等有关测试、安全标准。目前正在制定的LED 标准有： W }"n*
— 照明用LED 安全； 9&O7 F}VP2
— LED 连接器性能要求； S^z t>
— LED 控制器性能要求。 Y9w^F_relL
\F'tl{'\@
1.2 CIE {gkY:$xnrG
作为照明光源，CIE已经和正在制定的半导体照明的标准有白光LED 光源的颜色重现和LED 的强度、光学特性和光度学特性的测量方法。IEC把LED作为一个显示用半导体器件处理，侧重于它的物理特性；而CIE更多地从照明角度把LED作为一个照明光源的部件处理。例如，发光(辐射)效能的定义。CIE定义：LED发出的光通量(辐射通量)与耗费电功率之比，IEC定义：LED发出的光通量(辐射通量)与耗费正向电流之比；CIE的发光效能要测三个物理量：总光通量、正向电流、正向电压(或内阻），而IEC只需测量两个物理量：总光通量、正向电流。IEC没有选择正向电压是很明智的，因正向电压会随管芯温度的升高而下降。明显的不同还包括发光强度的测量距离和测量的外部条件。 5
A2u|UU
eKv{N\E
1.3 SEMI ;
`Vbl_"L
半导体发光二极管芯片的外延生长、材料、工艺、设备及贮运等方面有SEMI标准可供采用，但是否满足生长大功率、高亮度半导体发光二极管芯片所要求的材料和工艺，还需要加以研究确定。 9e _8Z@|
sWGc1jC?.F
T4e-Q EH
2 国内标准化现状 ,?KN;~t#vz
9l&4mt;+&<
2.1 相关的标准化组织 Er !s\(h
国内的相关标准化组织有：全国半导体器件标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国照明电器标准化技术委员会、全国稀土标准化技术委员会。 ~6!TMVr
IPa)+ ZQ
2.2 相关的标准 6p)dO
c3L
作为早期显示用的LED从属于半导体器件标准体系，产品标准的顶层标准是GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，这个总规范下有三个分规范：分立器件、集成电路和光电子器件，LED 从属于GB/T12565-1990《半导体器件 光电子器件分规范》。产品详细规范有显示用发光二极管空白详细规范和极少量的具体型号的产品标准（是电子行业标准）。半导体器件的基础标准有术语、额定值和特性、测试方法和机械/环境试验方法等, 其中有一部分标准内容涉及到LED 或LED 产品可采用的。这些标准见表2。 i9=*ls^Cx
>J['so2Bf
 JIh:IR(ta
4.& hV?Kxz
由于半导体照明二极管技术不仅仅与发光二极管有关，还涉及到封装用的材料和封装工艺，如荧光粉、硅- 蓝宝石外延片、塑料及树脂、引线框架。国家标准中也有一些涉及上述材料标准，见表3 。这些标准是否适用还有待进一步研究。 ^ - H
"b
`R_gG9
|
