《
LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,并对面临的问题与挑战进行了讨论;接着详述了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后对OLED(即有机LED)技术进行了介绍。
MnFem $ @ 《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读,还可作为
材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。
_J&u{ 《LED照明应用技术》发光二极管(LED)的应用不再局限于商业性标志,目前正以无可争议的优势转向商用和家用照明领域。LED照明技术兴起于20世纪80年代,当时市售LED还不能发出蓝色
波长的光,而蓝光LED的发明为LED白光照明的实现开辟了道路。从那时起,LED的性能(包括能量效率)得到显著提高,目前已经赶超了荧光灯,且仍有很大的提升空间。
^8)&~q* 《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,对面临的问题与挑战进行了讨论;接下来的几章内容介绍了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后几章的内容包括LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后详述了OLED(即有机LED)技术,它具有当前照明领域中最吸引入的重要的特殊性能。
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9<<$uf.B Ed#%F-1sX
M4M
4*o `{I,!to 目录
H_;Dq* 者序
F']Vg31c 原书序
8s8q`_.)( 前言
3f's>+,#% 第1章 LED:原理与挑战1
3leg,qd 1.1
光源领域的革新历史1
#f.@XIt' 1.2 LED和照明3
)ACa0V>*p 1.3 LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量8
v)N6ZOj*C 1.3.1 LED发出白光:原理与挑战11
pvy;L[c 1.3.2 寿命13
M;zRf3S 1.3.3 LED的品质15
-j3 -H& 1.4 LED面临的挑战16
3~I<f^K4 1.5 参考文献18
@babgP, ~'fa,XZ< 第2章 III族氮化物电致发光二极管的衬底20
_1y|#o 2.1 简介20
g/+M&k$ 2.2 晶体结构及其与6HSiC和Al2O3的外延关系22
aC3\Hs 2.3 异质外延的缺点和约束25
e_]1e7t 2.3.1 位错25
!dhZs?/UI 2.3.2 衬底的解取向27
=i%2/kdi0b 2.3.3 外延应力28
Fh v) 2.3.4 热应力29
qCgP8U/jv 2.4 GaN在蓝宝石上的MOVPE生长30
NL&g/4A[a 2.4.1 GaN生长30
9][Mw[k> 2.4.2 标准2D外延32
a-!"m 2.4.3 3D外延生长33
Kox~k?JK
2.4.4 外延的横向过生长(ELO1S)34
i04Sf^ 2.4.5 各向异性生长35
>4M_jC. 2.4.6 两级ELOGaN生长(ELO2S)36
2l5@gDk5 2.4.7 使用悬空外延技术的GaN生长38
@{I55EQ] 2.4.8 纳米外延38
.U5+PQN 2.5 大块氮化物衬底40
^0{S!fs 2.5.1 制造结晶GaN的HNPS(高氮压溶液法)41
3=bzIU 2.5.2 GaN的氨热合成42
od^ha 2.5.3 GaN的卤化物气相外延(HVPE)42
=5Q;quKu^5 2.6 结论44
" "a+Nc 2.7 参考文献44
7C2/^x P vo71T<K 第3章 III族氮化物高亮度LED51
p6=#LwL' 3.1 简介51
iXl1S[.l 3.2 GaN的pn结52
Ur&: Rr 3.3 有源区:InGaN/GaN量子阱54
_%zU^aE 3.3.1 生长和结构55
iUI,r* 3.3.2
光学性质56
y_$^Po 3.4 辐射效率61
* y(2BrL> 3.5 结论与展望63
8-?n<h%8E 3.6 参考文献64
7KM!\"PM 2~J|x+
第4章 二极管工艺设计67
3'/wRK l 4.1 简介67
svo^#V~h' 4.2 数量级68
eHnC^W}|s 4.3 二极管结构70
Wnf`Rf)1z 4.3.1 常规
芯片(CC)71
3J,/bgL5 4.3.2 倒装芯片(FC)71
#UWQ (+F 4.3.3 垂直薄膜(VTF)72
|um)vlN;9 4.3.4 薄膜倒装芯片(TFFC)72
Ci*TX 4.4 晶片级光提取73
sL/Lw
WH 4.5 二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积75
n<hwstk 4.5.1 n型接触76
nAts.pVy" 4.5.2 p型接触76
pu>LC6m3a 4.6 蚀刻78
0e7v ?UT 4.7 移除衬底79
sJM}p5V 4.8 发展趋势79
T >-F~?7Sv 4.9 参考文献80
MPL2#YU/a _v$mGZpGY 第5章 封装83
*n[Fl
5.1 简介83
]iNSa{G 5.2 各种封装工艺84
R>0ta
Q 5.2.1 历史背景84
wK\SeX 5.2.2 从晶片到芯片84
q?0goL 5.2.3 带连接引脚的器件86
0?`#ko7~d 5.2.4 SMT有引脚器件86
a9qZI 5.2.5 SMT无引脚器件90
#F{|G:\@[ 5.2.6 其他技术90
s[s^z<4G 5.2.7 小结91
pEaH^(I* 5.3 热管理92
5
+
Jy
5.3.1 目的92
l{pF^?K 5.3.2 散热方式92
gTQ6B,`/8 5.3.3 LED内的散热93
ix/uV)]k` 5.3.4 各种封装工艺的比较95
fsmH];"GD 5.3.5 小结97
B " B 5.4 LED的光提取97
1bDc ct 5.4.1 LED的横向光提取97
hOC,Eo 5.4.2 利用
透镜实现垂直光提取98
:8QG$Ua1 5.4.3 透镜和密封材料100
b~~}(^Bg 5.4.4 透镜和密封的实现102
oDP|>yXC) 5.5 LED器件的特性102
bQeYFY#^ 5.5.1 热和电气特性102
s3knh&'zb 5.5.2 光学特性103
.LS.Z
4@ 5.5.3 筛选104
T(}da**X 5.5.4 可靠性104
Ud9\;Qse 5.6 结论与展望105
V\xQM; 5.7 附录106
~G$OY9UC 5.8 参考文献109
\C6m.%%={R G^OSXf5 第6章 电致发光二极管的光电特性111
JH5])i0 6.1 LED的光度测定111
xAO]u[J 6.1.1 基本知识概述111
r\1*N.O3|O 6.1.2 常用参数114
{38aaf|'/ 6.1.3 光度计/辐射计应具备的性能115
*>#cs#) 6.1.4 发光强度的测量118
z&:[.B 6.1.5 光通量的测量119
GkO6r'MVE 6.1.6 光谱测量125
=0-qBodbl 6.2 LED的电气特性127
*w6N& 6.2.1 正向电压127
Xg)yz~Ug 6.2.2 温度效应128
g[n8N{s 6.2.3 光度测量用LED的工作条件129
IpP0|:} 6.2.4 规范化的立场130
[/kO> 6.3 参考文献130
t.TQ@c+,J QRjt.Ry| 第7章 LED的白光品质132
%In"Kh* 7.1 简介:白光和视觉品质132
i0!F 7.1.1 白光132
4CCux4)N 7.1.2 与光品质有关的几个想法132
FSB$D)4z>b 7.1.3 人类视觉功能:感受器、视网膜、大脑133
K_xOY
* 7.1.4 本章 内容134
&sWyh[`P 7.2 比色法和测光法的概念134
+Oscy-; 7.2.1 比色法134
5C&f-* Bh 7.2.2 光度值137
,jWd?-NH 7.3 用LED获得白光140
c%dy$mkqgK 7.3.1 基于短波长发射的白光二极管140
S ] &->5" 7.3.2 基于紫外光二极管的白光LED140
^/uGcz|. 7.3.3 将红光、绿光和蓝光结合140
Y^G3<.B 7.3.4 多个LED结合和光谱优化的实例142
g=(+oK? 7.3.5 白光LED颜色的标准化142
_7 ;^od=C 7.4 光源的显色性143
Rt|Hma 7.4.1 CIE对CRI的定义143
ba ?k:b 7.4.2 详细计算过程145
cmeyCyV* 7.4.3 CIE立场的改变,考虑了观察者的判断146
K6U>Qums 7.5 改善LED的发光品质146
{|%O)fr, 7.5.1 模型146
,W-0qN&%/ 7.5.2 色彩模拟149
<j#EyGAV 7.5.3 实验验证149
#.)>geLC>9 7.5.4 关于视觉评判复杂性的结论151
$5IrM7i 7.6 LED在照明中的应用152
("6W.i> 7.7 结论:优点、措施和展望152
r;C\eN 7.8 致谢152
a\w|tf 7.9 参考文献153
bM-Rj1#Lo Kd)m"9Cc 第8章 OLED技术156
QFPx4F7(e 8.1 简介156
(n/1:' 8.1.1 有机材料:发展史156
w-$w 8.1.2 第一个OLED器件的诞生156
^4[[+r 8.2 电致发光二极管157
gT
OMD 8.2.1 有机
半导体的类别157
Uz|]}t5V 8.2.2 沉积技术概述158
a:}"\>Aj 8.3 有机半导体:理论160
VZoOdR:d 8.3.1 有机化学半导性简介160
->8q, W2A 8.3.2 非晶态有机固体的电子输运模型162
aC:l; 8.4 OLED的电气特性164
H~i],WD 8.4.1 载荷子注入模型164
obq}# 8.4.2 载荷子输运模型164
p'qH [<s 8.5 OLED的各种结构166
)mdNvb[*n 8.5.1 直接二极管和反向二极管166
s>\g03= 8.5.2 使用底发射和顶发射二极管166
pG6-.F; 8.5.3 异质结二极管和能带工程167
~S6 {VK. 8.5.4 光提取168
T6$<o\g' 8.5.5 荧光与磷光169
D3xaR 8.6 OLED照明专用结构170
;vdgF 8.6.1 单发光层结构170
<h=M
Rw,l 8.6.2 双发光层材料171
63S1ed[ 8.6.3 n发光层结构(n≥3)172
:$aW@?zAY 8.6.4 堆叠式OLED和叠层结构172
L@r.R_*H?s 8.6.5 转换器(下转换)172
17)M.(qmuP 8.7 OLED的稳定性与寿命:封装问题173
lg>AWTW[ 8.8 用于照明的OLED175
)uvFta<( 8.9 参考文献176
QtQ^"d65 作者列表179