中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce薄膜及其光致发光特性摘要：用中频反应磁控溅射技术制备了 Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。XPS 监测显示，薄膜中有 Ce3+生成。这些薄膜的光致发光峰是在 374 nm 附近，它来自于 Ce3+离子的 5d1激发态向基态 4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度，但发光峰位置不随掺杂浓度而变化。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过 X 射线散射能谱（EDS）测量 的。薄膜试样的晶体结构应用 X 射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 <$hv{a
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关键词：光致发光；Al2O3；薄膜；磁控溅射；稀土元素
