光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
+(k)1kCMn 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
s&_O2(l 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
s^X/
Om q^+NhAMz
u~T$F/]k>
OcS`Fxs
fvAV[9/-
Reference \ A UtGP
Wavelength(参考波长)：
8'\,&f`Y
i&G `ah>
uV:uXQni``
?m7" G)
>-o:>
5
Illuminate（光源）：
9: |K]y
^znv [
vo<#sa^,j
Fmle|
64j 4P 7
Incident v})Ti190
angle（入射角）：
+r w3.d
fJ lN'F7
H+&w 7ER
bh"v{V`=0
m@2 xC,@
Incident M !XFb
medium（入射介质）：
U)1qsUDF
C`<} nx1
Q&'Nr3H#tZ
JNg5?V;.U
VCtiZ4
Substrate（基底）
~:b~f]lO
TB [2!ZW
sO-R+G/^7
uvM8 8#
rbS= Ewk
Thickness（厚度）mm
IL"#T KKv
o% 4+I>
+! Ag n)
>
V}NG
k<hO9;#qpL
Exit _ [tBLGXD
medium（出射介质）
@Od u.F1e
s'=]a-l~
XdVC >6
rz7b%WY
r+Cha%&D
Detector（探测器）：
3A1kH` X^q
e(5R8u d
PS] X Lz
<W^~Y31:0
9'aR-tFun;
First 1vd+p!n
Surface（第一面）
UzwI V{
IT33E%G
tR/
JY;jn
}`]^LFU5
? D'-{/ <4
