光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
|k{-l!HI 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
u.|~$yP.! 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
yO>V/5` dy>|cj
C+MSVc
)DUL)S
fH8!YQG8$
Reference Gr(|Ra.
Wavelength(参考波长):
6bZ[Kt
^Dx#7bsDZR
H%z@h~s>
4o9$bv
&4$oudn
Illuminate(光源):
\`xkp[C
UlQQP^Na
Z]:BYX'
>AI<60/<
xnq><4
Incident ]5v:5:H
angle(入射角):
8Xm@r#Oy5
ev>oC~>s
fV ZW[9[
QlW=_Ymv{
<5Mrp"C[i
Incident I/UQ' xx
medium(入射介质):
`!w^0kZ
Eo{EKI1
4^!4eyQ^
Kv+Bfh
!g0cC.'
Substrate(基底)
IvW@o1Q
CJqc\I~
:LV.G0)#
T 0 FZ7
Ud3""C5B
Thickness(厚度)mm
S>ugRasZ$
MMD<I6Iyv
IF?xnu
h}=M^SL
SQKt}kDbM
Exit ,sb1"^Wc
medium(出射介质)
S]yvMj_?
O2H/rFx4
b4~H3|
"oE* 9J?e
p~bkf>
Detector(探测器):
!.+"4TF
7>x;B
KZK,w#9.
)DZTB
56s*A*z$
;
First /Antb6E
Surface(第一面)
/{G/|a
4
10:%WGc
dB`b9)Tk0z
KF{a$d
w<d*#$[,*