大功率Ga InP/AlGa InP半导体激光器摘要：制备了大功率实折射率 Ga InP/ AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在 15° 偏角的 GaAs 衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到. 制备的激光器具有双沟脊波导结构 ,条宽和腔长分别为 3 和900 μm ,前后端面分别蒸镀 5 %的增透膜和 95 %的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为 32mA ,光学灾变阈值为 88mW ,功率为 80mW 时的工作电流为 110mA ,斜率效率为 1W/ A ,串联电阻为 3Ω.基横模光输出功率可达 60mW ,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为 10° 和 32° ,激射波长为65814nm.器件的内损耗为 411cm- 1,内量子效率达 80 % ,透明电流密度为 648A/ cm2. X [<%T}s#
i0:1+^3^U
关键词：半导体激光器; AlGa InP可见光激光器; 应变量子阱
