1. 背景知识
sJ{S(wpi" 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
$@ t ]0 2. 设备能力
ttlFb]zZh OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
4\qnCf3 R
pUq#Y:a 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
[ =dK %7v 2） 排气性能
G:'hT=8 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
1n +C'P" 极限真空：低于5.0E-5Pa
_]~`t+W'DJ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
|X :"AH"S 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
d~NvS-u7 3） 基板加熱特性
iYwzdW1 最大设定温度: 350℃
Z(F`M;1>xI 加热40分钟以内，能到达300℃
ygiZ~v4P/ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
6\jhDP@`9 4） 电子枪/电源(JEOL制)
Z_iVOctP 电子枪（BS-60050EBS）：
QDO.&G2 (10kW，270°偏转)
0Z. bd=H 电压 -4～-10kV(连续可变)
: b9X?%L~ 5） 坩埚
t=
=+SHGP 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
A.0eeX { 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
g\;&Z 6） 离子源
/DxaKZ ;b 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
p:kHb@ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
7f!"vhCXM; 栅网尺寸：10cm
v<+5B5"1 最大射频功率：600W（13.56MHz）
(^x , 束電圧：100V～1500V
RM/q\100 最大束電流：500mA
0)=U:y. 离子流密度分布：±10%以内
h B@M5Mc$ 加速电压：100V～1000V
VJp; XM 标准导入气体量：氧气或氩气
!% ' dyj b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
W!@*3U]2R 最大射频功率：150W（13.56MHz）
8R G U^& 最大中和電流：1500mA
6|h~pH 标准导入气体量：氩气
z=YHR S 7） 光学膜厚监控
QU&LC 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
re\pE2&B 波長范围：350～1100nm
1|U8D K 波長精度：<±1nm
F#<$yUf% 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
,E Y B
E 波长再现性：±0.25 nm
rd#O ] 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
/*v} .fH% 8） 水晶膜厚监控
ZboY]1L[j 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
h^Bp^V5# 水晶开始频率：6.0MHz
.(D,CGtYb 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Cp[{| U-?G 测定时间间隔：0.25秒
9Tju+KcK E@ux EF 3. 标准工艺
H Pvs~`>V 1) ITO
'fIBJ3s[o 2)太阳电池减反膜
g!<=NVhYt El9D1], 3)高反膜
2D`_!OG= #`kLU: 4)截止滤光片
Ml bQLtw Zt3Y<3o 5)UV-IRCUT
8v|?g8e3 k; )t}7(
f9ziSD# 5．操作手册
g#??Mz 1) 目的
vh29mzum 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
C71\9K*X 2) 使用范围
OhNEt> 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
5!tiu4LU 3) 注意事项
},tN{() 1.开机前检查水电气是否正常
,lso xl 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
J%|n^^ /un 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
5Xe1a'n5] 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
]ULE>a 4) 准备工作
-D?-ctFYj^ 1.基片清洗
@)i A V1r" 2.补充源材料
b ~5Q|3P 9 3.清理真空室
0vi)m y;! 5) 操作步骤
# Vq"Cf 1、开机
dc]D 8KX 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
b@p3iq: 1.2 打开总电源
| mHxkd 1.3 打开UPS电源
7QnQ=gu 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
|_ChK6Q?v 机，进行冷泵再生过程。
-n>JlfCd2 2、放样
0q4E^}iR 2.1 清理真空室
j$%uip{ 2.2 补充源材料
:< "b"{X" 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
AbXaxt/[g? 2.4 放入样品
x!@ 3.$ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
w%Bo7 'o)V 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
et-<ib<lY 3、熔源与蒸发镀膜
";>>{lYA . 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
BZdryk :S 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
<
.\2 Ec 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
da,;IE{1u 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
4Iq-4IG( 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
O)Wc\- DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
)^D:VY9 2 3.6 打开气体流量控制仪
` 6'dhB 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
C{5^UCJkg 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
o 5;V=8T; 4、取样
3lW7auH4Y{ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
S2!$ 行充气过程
}B R@vY'd 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
XZ3)gYQi 清理真空室，进入到下一个循环。
mqIcc'6f 5、关机
/&T"w,D 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
1vm K
d 5.2 关闭UPS，总电源
Gl@ -R Lo 5.3 关闭水、气
