1. 背景知识
AOTtAV_e 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
)$*B 2. 设备能力
,bB}lU) OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
6&2{V?
W3 Ngm/ 5 Lc 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
B.gEV* @ 2） 排气性能
D@ @ "w+ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
8CvNcO;H0 极限真空：低于5.0E-5Pa
_u~`Rl A 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
!D/W6Ic@ 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
cf%2A1I2W 3） 基板加熱特性
PevT `\> 最大设定温度: 350℃
=~21.p 加热40分钟以内，能到达300℃
T@n};,SQ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
Sc m ew 4） 电子枪/电源(JEOL制)
1{qG?1<zZ6 电子枪（BS-60050EBS）：
U\[b qw (10kW，270°偏转)
JbXi|OS/ 电压 -4～-10kV(连续可变)
,V;HM F.
5） 坩埚
> aCY 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
Ve40H6 Ox 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
5 <7sVd. 6） 离子源
1h{7d LA 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
i> {0h3Y a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
SJsbuLxR 栅网尺寸：10cm
"`*
>co6r 最大射频功率：600W（13.56MHz）
RiIafiaD 束電圧：100V～1500V
d"lk"R 最大束電流：500mA
Lu4>C 2{ 离子流密度分布：±10%以内
>.hDt9@4 加速电压：100V～1000V
;i ?R+T 标准导入气体量：氧气或氩气
0J;Qpi!u2v b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
w)/~Gn676 最大射频功率：150W（13.56MHz）
V2 '5doo 最大中和電流：1500mA
iaRCV 6cl 标准导入气体量：氩气
vxrqUjK7 7） 光学膜厚监控
m'uFj ! 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
+IlQZwm~ 波長范围：350～1100nm
!y$+RA7\ 波長精度：<±1nm
s&\krW & 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
STPRC&7; 波长再现性：±0.25 nm
CKC5S^Mx 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
| S'mF6Y 8） 水晶膜厚监控
g3(LDqB'. 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
:k d]n$] 水晶开始频率：6.0MHz
d\r-)VWSr" 频率变化测定分解能：±0.028Hz
!mUO/6Q hq 测定时间间隔：0.25秒
v
<OZ
#
L$ 9VS i2p* 3. 标准工艺
'UC1 !Z 1) ITO
.=9d3uWJ/ 2)太阳电池减反膜
CW]Th-xc R{Cbp=3J 3)高反膜
rU 1Ri Bi>]s%zp 4)截止滤光片
tjx|;m7 #)O^aac29 5)UV-IRCUT
_z9~\N/@[ UKPr[ :@- .whj 5．操作手册
Qraa0]56 1) 目的
U=5~]0g 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
z" ;(0% 2) 使用范围
2IGU{&s 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
SwM=?< 3) 注意事项
V/zmbo) 1.开机前检查水电气是否正常
\C4 wWh-A 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
ew]G@66 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
0Gu?;]GSv 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
k;)mc+ ~+ 4) 准备工作
"yj_v\@4 1.基片清洗
C
&y
2I 2.补充源材料
ixE w! t 3.清理真空室
Nbv b_ 5) 操作步骤
hMUUnr"8;i 1、开机
/XU=l0 u 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
@]p {%" $ 1.2 打开总电源
q03+FLEfC 1.3 打开UPS电源
v>N*f~n 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
g:GywX W 机，进行冷泵再生过程。
L4 bYVTm| 2、放样
z4$9,p
` 2.1 清理真空室
k 8%@PC$ 2.2 补充源材料
5HE5$S 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
ck3+A/ !z 2.4 放入样品
gGx(mX._L? 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
%r*,m3d 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
;jN1n
xF 3、熔源与蒸发镀膜
9Oo`4 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
F w
t 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
v~jm<{={g 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
"?l z[K> 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
`!(%R k 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
5h0Hk<N DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
B([-GpZt[ 3.6 打开气体流量控制仪
j+{cc: h"X 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
kM&- t&7 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
I,HtW ), 4、取样
DS>&|zF5l 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
HavlN}h 行充气过程
nZ ( wfNk 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
cAot+N+9|] 清理真空室，进入到下一个循环。
(E&M[hH+ 5、关机
-3azA7tzz 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
,4 _H{+M 5.2 关闭UPS，总电源
hvNK"^\p 5.3 关闭水、气
