1. 背景知识
Go\} A:| s 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
33<fN:J]f 2. 设备能力
jxnQG A OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
qH
h' l;. ..]*Ao 2 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
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%+VG 2） 排气性能
~S^ X"8(U 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
d]7|v
r] 极限真空：低于5.0E-5Pa
k)5_1 y 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
<cDKGd 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
G=C5T( 3） 基板加熱特性
t$H':l0 最大设定温度: 350℃
@Xve qUUU 加热40分钟以内，能到达300℃
j(%gMVu 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
m +Q5vkW 4） 电子枪/电源(JEOL制)
Fo e>}6~{? 电子枪（BS-60050EBS）：
x A& (10kW，270°偏转)
XJmFJafQD 电压 -4～-10kV(连续可变)
b$? Xn {Y 5） 坩埚
`& u<aLA 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
Z(Eke 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
nxyjL)!)0 6） 离子源
!_U37Uj<m 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
:T7? a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
>,>;)B@J 栅网尺寸：10cm
G pdv]SON{ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
c{mKra 束電圧：100V～1500V
2#AeN6\@ 最大束電流：500mA
\6SMn6a4 离子流密度分布：±10%以内
,pyQP^u- 加速电压：100V～1000V
b8N[. "~: 标准导入气体量：氧气或氩气
(!ZQ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
<AI>8j6#B 最大射频功率：150W（13.56MHz）
t{R5
E U 最大中和電流：1500mA
a{]g+tGH 标准导入气体量：氩气
='dLsh4P2N 7） 光学膜厚监控
cW)Oi^q%o2 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
*.m{jgi1X 波長范围：350～1100nm
]{IR&{EI- 波長精度：<±1nm
~LawF_]6 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
}rz dm9 波长再现性：±0.25 nm
p-5P as 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
FOCoiocPi 8） 水晶膜厚监控
GA|/7[ I} 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
8^/+wa+G 水晶开始频率：6.0MHz
6R ;) 频率变化测定分解能：±0.028Hz
\npz .g^c_ 测定时间间隔：0.25秒
]u rK$ " ;PG%_( 3. 标准工艺
mi7sBA9L8 1) ITO
koOy Z> 2)太阳电池减反膜
r0F_; 3<c*v/L{C\ 3)高反膜
=
:Po%Z%{ Z0e-W:&;kF 4)截止滤光片
HUj+ - $brKl 8P 5)UV-IRCUT
i {gDW+N [O=W >l X_D6eYF 5．操作手册
C/F@ ]_y
1) 目的
|/@0~O(6 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
sf Dg/ a 2) 使用范围
C@%iQ ]= 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
o;3j:# 3 | 3) 注意事项
SK's!m:r= 1.开机前检查水电气是否正常
Q> kiVvc 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
qh%i5Mu 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
hzaU8kb 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
F?7u~b|@{ 4) 准备工作
P,(9c yS{ 1.基片清洗
%fHH {60 2.补充源材料
!0` lu_ZN 3.清理真空室
GF&_~48GD 5) 操作步骤
SijtTY#r 1、开机
mv{< ' 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
$h,d?
.u6w 1.2 打开总电源
Q-[3j 1.3 打开UPS电源
nt7|f,_J 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
>GgE,h 机，进行冷泵再生过程。
8 +9\ 7* 2、放样
Tj=gRQ2v 2.1 清理真空室
pg+b[7 2.2 补充源材料
sT iYf 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
W/sY#" 2.4 放入样品
^[#=L4 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Ddb-@YD&+0 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
/w0sj`;" 3、熔源与蒸发镀膜
+vf:z?I8 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
[~COYjp 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
}7%9}2}Iw 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
C ck#Y 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
m;c3Z- 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
Hoj8okP DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
" rsSW 3_ 3.6 打开气体流量控制仪
xpAok] 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
M;qBDT~) 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
K!p,x;YX 4、取样
^_sQG 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
P/G>/MD/l 行充气过程
$%=G[/i' 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
"TfI+QgL F 清理真空室，进入到下一个循环。
_C20 +PMO 5、关机
teAukE=} 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
d .p'p GL 5.2 关闭UPS，总电源
e gI&epN 5.3 关闭水、气
