1. 背景知识
G3TS?u8Q 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
gq+0t 2. 设备能力
.q
MxShUU OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
>xo<i8<Miv THQ #z Q- 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
QxW+|Gt._ 2） 排气性能
.TA)|df
^ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
Kt*b)
< 极限真空：低于5.0E-5Pa
=JE<oVP8 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
ZPw4S2yw3. 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
wnd
#J ` 3） 基板加熱特性
.B~yI3D`M 最大设定温度: 350℃
p3 5)K5V 加热40分钟以内，能到达300℃
K>.}>)0 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
XlF , _ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
_Kaqx"D 电子枪（BS-60050EBS）：
M**Sus87Q (10kW，270°偏转)
,YM=?No 电压 -4～-10kV(连续可变)
IIY_Q9in 5） 坩埚
yWRIh*>nE 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
}bw^p.ci 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
=K s&m4 6） 离子源
Ux',ma1JK 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
$rj:K)P a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
WDxcV% 栅网尺寸：10cm
`m(ZX\W] 最大射频功率：600W（13.56MHz）
7#"NKxb 束電圧：100V～1500V
! U@ETo 最大束電流：500mA
[7.Num_L 离子流密度分布：±10%以内
ASi2;Q_{_ 加速电压：100V～1000V
moFrNcso 标准导入气体量：氧气或氩气
b~fl,(sZp b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
LkYcFD 最大射频功率：150W（13.56MHz）
PtuRXx 最大中和電流：1500mA
A*0X ~6W 标准导入气体量：氩气
.a2R2~35 7） 光学膜厚监控
j7_,V?5z 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
8 t=H 波長范围：350～1100nm
Y{j~;G@Wl 波長精度：<±1nm
Nt\07*`qCr 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
-ABj>y[ 波长再现性：±0.25 nm
HkRvcX
5 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
5u9 lKno 8） 水晶膜厚监控
ph b
; D 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
1 M!4hM
Q 水晶开始频率：6.0MHz
4IZAJqw(* 频率变化测定分解能：±0.028Hz
h/C { 测定时间间隔：0.25秒
[MA Pa TVvE0y(9 3. 标准工艺
th*!EFA^o 1) ITO
-T+YMAFU_ 2)太阳电池减反膜
.sit5 BX kPy7e~ 3)高反膜
4S>#>(n7= ?@x$ h 4)截止滤光片
h-(NWxK+ ]GRVU 5)UV-IRCUT
u=@zYA( EK>x \]O%T gF9GU5T: 5．操作手册
j# c@dze 1) 目的
&0* l:uw 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
y /8iEs 2) 使用范围
\ l0!s i 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
h{HpI
0q4 3) 注意事项
G@D8 [ 1.开机前检查水电气是否正常
|;V-;e* 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
8yI4=P"F, 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
0*P -/)o x 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
-[>J"l 4) 准备工作
JK{2 hr_a 1.基片清洗
C-49u<; , 2.补充源材料
L6qK3xa} 3.清理真空室
_G4 U 5) 操作步骤
;X ;x.pi 1、开机
cc=_KYZ1k 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
dc emF 1.2 打开总电源
1F0];{a 1.3 打开UPS电源
]E :L 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
[xfg6 机，进行冷泵再生过程。
A Ef@o +A 2、放样
HIj:?y 2.1 清理真空室
-1d$w` 2.2 补充源材料
k <fR )o 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
B2BG*xa 2.4 放入样品
nF3Sfw, 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
"_dJ4<8 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
N-}OmcO]e 3、熔源与蒸发镀膜
=<M>fJ) 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
q oph#\ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
[r]<~$ 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
+=L+35M 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
3M^`6W[; 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
RAEN
&M DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
| Cfo(]>G 3.6 打开气体流量控制仪
1G(wESe 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
Q[` 2? j? 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
TFbF^Kd#:d 4、取样
[m
x}n+~ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
Iw$T'I+4W 行充气过程
Sxy3cv53 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
geM`O|Np 清理真空室，进入到下一个循环。
rTC| 8e 5、关机
! "08TCc< 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
Pqvj0zU o$ 5.2 关闭UPS，总电源
Br$/hn= 5.3 关闭水、气
