1. 背景知识
=?0v, ;F9| 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Kcp YHWCa. 2. 设备能力
*E/ Mf
OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
"Kp#Lx RC[Sa wA 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
{icTfPR4E 2） 排气性能
c'tQA 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
19]19_- 极限真空：低于5.0E-5Pa
-W1p=od 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
?R#$
c] 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
0y,w\'j 3） 基板加熱特性
3 sdL\ 最大设定温度: 350℃
YmaS,Q- 加热40分钟以内，能到达300℃
S}VS@KDO 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
vE'{?C=E M 4） 电子枪/电源(JEOL制)
,G%UU~/a 电子枪（BS-60050EBS）：
FMeBsI9pL (10kW，270°偏转)
jw=PeT| 电压 -4～-10kV(连续可变)
o z n&>k 5） 坩埚
ceE]^X; p 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
eIalcBY 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
5[SwF& zZ 6） 离子源
Jg[Ao#,== 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
N4C7I1ihq a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
.>F4s_6l 栅网尺寸：10cm
CUI+@|]% 最大射频功率：600W（13.56MHz）
.7^(~&5N 束電圧：100V～1500V
t kj 最大束電流：500mA
F!EiF&[\J 离子流密度分布：±10%以内
sd\ p[MXX 加速电压：100V～1000V
H,L{N'[Xph 标准导入气体量：氧气或氩气
`e
=IXkt b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
`L`+`B 最大射频功率：150W（13.56MHz）
) xyjQ|b 最大中和電流：1500mA
(^
EuF] 标准导入气体量：氩气
|}
b+$J 7） 光学膜厚监控
R\3a Sx L 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
tj@(0}pi4 波長范围：350～1100nm
0dC5
-/+ 波長精度：<±1nm
s/IsrcfM 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
&R<aRE:+R 波长再现性：±0.25 nm
:L NE ?@ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
1]2]l*&3 8） 水晶膜厚监控
- /\qGI 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
(~^fx\-S 水晶开始频率：6.0MHz
]q%r2 (y,k 频率变化测定分解能：±0.028Hz
f<@!{y 2Xe 测定时间间隔：0.25秒
B M,hcT r? OY`B{jV- 3. 标准工艺
%DKFF4k 1) ITO
1}DA| !~ 2)太阳电池减反膜
xeU| 5-d' NAvR^"I~ 3)高反膜
\s5Uvws V+ ("kz * 4)截止滤光片
|^1U<'oM# (CxA5u1|l 5)UV-IRCUT
6*9 wGLE YK3>M"58 f"5O'QHGQK 5．操作手册
`sYFQ+D#O 1) 目的
%)JEYH7Z 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
K 4!-%d$ 2) 使用范围
U8Y% rFh1 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
yQ[;y~W 3) 注意事项
"17)`Yf 1.开机前检查水电气是否正常
tbRW6 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
{ ] R'U/ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
VyxYv-$Y 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
^U_T< x8{ 4) 准备工作
[b3!H{b# 1.基片清洗
sW]^Y T>? 2.补充源材料
b0$)G-E/Y 3.清理真空室
Q*smH-Sw 5) 操作步骤
2^WJ 1: A 1、开机
A#"Wk]jX 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
FXo f9fa_B 1.2 打开总电源
j?.F-ar 1.3 打开UPS电源
tUv>1)
[ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
K|7"YNohfG 机，进行冷泵再生过程。
4qOzjEQ 2、放样
>j5\J_( ;D 2.1 清理真空室
R{#< NE 2.2 补充源材料
7s |'NTp 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
qk (Eyp 2.4 放入样品
]<f)Rf">:` 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
ANhtz1Fl 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
.{1$;K @ 3、熔源与蒸发镀膜
d/7fJ8y8 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
Pp8S\%z~h 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
p27Dc wov 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
A5XMA|2_ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
}\"EI<$s 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
B@,r8)D DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
@Po5AK3cy 3.6 打开气体流量控制仪
kt6x"'"1 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
vhrf 89-q 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
DB' 0 4、取样
8 MJJ w; 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
d6luksO*9 行充气过程
N"S`9B1eD( 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
%~LY'cfPse 清理真空室，进入到下一个循环。
j_8 Y Fz5 5、关机
5PeS/%uT@ 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
6 6v,/#K 5.2 关闭UPS，总电源
#t+ ?eye~ 5.3 关闭水、气
