1. 背景知识
V0XvJ
光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
|(LZ9I 2. 设备能力
? +a,m# Yx OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
mh [75( I \JGs@I 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
Ab"@7 14@ 2） 排气性能
K]" #C 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
MsGM5(r:b 极限真空：低于5.0E-5Pa
|CZ@te)> 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
}\:Nu Tf 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
6@0OQ b 3） 基板加熱特性
%k?U9pj^ 最大设定温度: 350℃
YCM]VDx4u1 加热40分钟以内，能到达300℃
Om@C
X<(9C 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
4 bH^":i( 4） 电子枪/电源(JEOL制)
bNNr]h8y- 电子枪（BS-60050EBS）：
V<uR>TD( (10kW，270°偏转)
i||]V*5n 电压 -4～-10kV(连续可变)
CZI6 6pDy 5） 坩埚
>P @H#= 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
TS9|a{j3! 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
=i*;VFc 6） 离子源
m6CI{Sa](l 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
O7<]U_ "I a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
. QJ 5sgmh 栅网尺寸：10cm
?9\EN|O^ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
(H E9V] 束電圧：100V～1500V
c> RFdc:U 最大束電流：500mA
Zk"eA'"\ 离子流密度分布：±10%以内
=~H<Z LE+ 加速电压：100V～1000V
u5 : q$P 标准导入气体量：氧气或氩气
`FTy+8mw b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
DLMM/WJg@ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
lP@Ki5 最大中和電流：1500mA
?!cvf{a 标准导入气体量：氩气
QPg8;O 7） 光学膜厚监控
_i|t
Y4L 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
E!l!OtFL 波長范围：350～1100nm
Te wb?: 波長精度：<±1nm
a$" Hvrj 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
w6GyBo{2O_ 波长再现性：±0.25 nm
E5xzy /ZQ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
2Yn <2U/^R 8） 水晶膜厚监控
X4E%2-m@' 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
_5# y06Q 水晶开始频率：6.0MHz
qHrA%k^!2O 频率变化测定分解能：±0.028Hz
&c:Ad%
z 测定时间间隔：0.25秒
YSh+pr W$OG( m!W> 3. 标准工艺
L3 --r 1) ITO
U4-g^S[ 2)太阳电池减反膜
\$\ENQ;Nk TbGn46!: 3)高反膜
^,8)iV0j_ X+S9{X#Cm 4)截止滤光片
DhT>']Z e<h~o!z a 5)UV-IRCUT
J/GSceHF WP+oFkw> PuT@}tw 5．操作手册
0F|AA"mMT 1) 目的
~ga`\% J 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
hKjt'N:~ZY 2) 使用范围
Q&g^c2 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
MLWM &cFG 3) 注意事项
#=f?0UTA 1.开机前检查水电气是否正常
5sJJG v#6 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
&twf,8 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
xp72>*_9& 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
^!z [t\$ 4) 准备工作
H77" 1.基片清洗
yo )%J 2.补充源材料
;@Z#b8aM} 3.清理真空室
Vq;A>
5) 操作步骤
G *;a^]- 1、开机
"WK{ >T 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
? 1$fJ3 1.2 打开总电源
^(h+URFpA 1.3 打开UPS电源
u1P aHgi$ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
K7W6ZH9; 机，进行冷泵再生过程。
okv 1K 2、放样
:8+Ni d) 2.1 清理真空室
xs:n\N 2.2 补充源材料
&2zq%((r 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
q51Uf_\/ 2.4 放入样品
nwaxz>; 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
)5U[o0td 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
78OIUNm` 3、熔源与蒸发镀膜
AN SFdc 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
glXZZ=j 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
.Pw\~X3! 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
),!;| bh 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
$.v5~UGb{\ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
7{qy7,Gp DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
.j>hI="b 3.6 打开气体流量控制仪
a5!Fv54 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
eI:C{0p= 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
i?e`:} T 4、取样
qfz 8jY] 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
_b.qkTWUB 行充气过程
<_Q:'cx' 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
A\#P*+k 0 清理真空室，进入到下一个循环。
]U7KLUY>: 5、关机
/3:q#2'v 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
m J`A_0 5.2 关闭UPS，总电源
'hv k 5.3 关闭水、气
