1. 背景知识
e+F}9HR7 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
d DIQ+/mmg 2. 设备能力
x5fg F; OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
i?a,^UM5n[ !cN?SGafZI 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
W$ JY M3! 2） 排气性能
S_T{L 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
TV1e
bH7q 极限真空：低于5.0E-5Pa
W+d 9cM= 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
d7W%zg \T 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
fuNl4BU 3） 基板加熱特性
-GDV[Bg
最大设定温度: 350℃
OH$ F >wO 加热40分钟以内，能到达300℃
%;pD8WgJA 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
b? Cmc 4） 电子枪/电源(JEOL制)
*D=K{bUe' 电子枪（BS-60050EBS）：
U OR _M5 (10kW，270°偏转)
mD D4_E2* 电压 -4～-10kV(连续可变)
DL'd&;6 5） 坩埚
B#HnPUUK 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
A+0 T" 2 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
BGB,Gb 6） 离子源
",~ b2]ym 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
j}|N^A_ S a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
y\F`B0#$ 栅网尺寸：10cm
Po Yr:=S? 最大射频功率：600W（13.56MHz）
CDQJ bvx 束電圧：100V～1500V
_L * f8e8 最大束電流：500mA
xNC* ]8d 离子流密度分布：±10%以内
W:VW_3 加速电压：100V～1000V
l9_m>X~ 标准导入气体量：氧气或氩气
ojN`#%X b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
!: m`9o8 最大射频功率：150W（13.56MHz）
_, \y2&KT 最大中和電流：1500mA
?JuX~{{. L 标准导入气体量：氩气
% $/=4f.j 7） 光学膜厚监控
6PiEa( 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
'fS?xDs-v 波長范围：350～1100nm
.HyjL5r- 波長精度：<±1nm
R&NpdW N 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
< 8iYL`3 波长再现性：±0.25 nm
H,(F1+~d 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
Z -pyF K\ 8） 水晶膜厚监控
h^%GE;N 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
IM[54_I 水晶开始频率：6.0MHz
&[NVP &9&U 频率变化测定分解能：±0.028Hz
/t$rX3A 测定时间间隔：0.25秒
P-[fHCg~ a;56k 3. 标准工艺
D4AEZgC F, 1) ITO
zTkF X67) 2)太阳电池减反膜
D35m5 +=I z8g=;>< 3)高反膜
p9/bzT34. I_: t}3s 4)截止滤光片
"w; 08TX8 f8^"E $" 5)UV-IRCUT
J=@hk@Nq# ~;}\zKQKE kX igX- 5．操作手册
M,&tA1CH 1) 目的
gB>(xY>LrA 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
HpW" lYW4 2) 使用范围
c L?\^K) 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
d?JAUbqy 3) 注意事项
!K!)S^^Po? 1.开机前检查水电气是否正常
IZ+ *`E 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
o(:{InpV%A 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
Z?-;.G* 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
Hyf"iYv+ 4) 准备工作
-jFP7tEv 1.基片清洗
B<Ol+)@,} 2.补充源材料
2v4W6R 3.清理真空室
N5yJ'i ~,M 5) 操作步骤
X| ,["Az
8 1、开机
FzVZs# O 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
z23#G>I & 1.2 打开总电源
v3 -5"q!Sq 1.3 打开UPS电源
;r3}g"D@ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
)u<eO FI+ 机，进行冷泵再生过程。
2_ wv C 2、放样
w:v=se"U 2.1 清理真空室
]{<saAmJC 2.2 补充源材料
}*h47t} 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
XJc
,uj7 2.4 放入样品
>d#3|;RY 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Sg _O?.r 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
[O (m/ 3、熔源与蒸发镀膜
u
>4ArtF 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
uj)yk* 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
+N7"EROc 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
3EI]bmi~ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
zOL;"/R 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
.8K6C]gw DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
#,TELzUVE 3.6 打开气体流量控制仪
"w9`cz9a~J 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
qIz}$%!A 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
7_KXD# 4、取样
7|Xe &o <n 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
i@XB&;*c\ 行充气过程
5?w.rcN[j 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Zb"jB$58 清理真空室，进入到下一个循环。
VNO'="U 5、关机
<1K7@Tu 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
w763 z i{ 5.2 关闭UPS，总电源
R#ya,L 5.3 关闭水、气
