1. 背景知识
<]?7 1{7X 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Dz hLb8k 2. 设备能力
t[k ['<G OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
pKXSJ"Xo X%-"b` 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
=_&,^h@'3e 2） 排气性能
Kez0Bka 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
lYe2;bu 极限真空：低于5.0E-5Pa
gD%o0 jt" 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
E_& ;.hw 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
HziQ%QR 3） 基板加熱特性
y< gRl/e 最大设定温度: 350℃
n{|j#j 加热40分钟以内，能到达300℃
0<A*I{,4L 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
Z3zD4-p$_ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
k=t{o 电子枪（BS-60050EBS）：
k K/>,Eg (10kW，270°偏转)
CZy!nR! 电压 -4～-10kV(连续可变)
^Gbcs
l~Gj 5） 坩埚
EP 4?+"Z 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
+s+E!= s 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
{- &wV 6） 离子源
BC%V<6JBu( 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
WD8F]+2O\ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
LqQ&4I 栅网尺寸：10cm
p?s[I)e 最大射频功率：600W（13.56MHz）
|'k7 ;UW 束電圧：100V～1500V
*]S&V'Di 最大束電流：500mA
@oRo6Y<- 离子流密度分布：±10%以内
AbMf8$$3SH 加速电压：100V～1000V
? D@WXE0a 标准导入气体量：氧气或氩气
lt C b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Ap(>mUs!i 最大射频功率：150W（13.56MHz）
y $>U[^G[ 最大中和電流：1500mA
H1ox>sC 标准导入气体量：氩气
]#O~lq 7） 光学膜厚监控
D89 (u.h 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
ESY\!X:| 波長范围：350～1100nm
Qvhy9C r; 波長精度：<±1nm
u`Zj~ t 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
4q`e<!MP)q 波长再现性：±0.25 nm
c ^+{YH;k 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
>~ * w 8） 水晶膜厚监控
zqGo7;;# 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
5cSqo{|En 水晶开始频率：6.0MHz
IaYy5Rw 频率变化测定分解能：±0.028Hz
6tT*b@/_o 测定时间间隔：0.25秒
{edjvPlk :J;*]o: 3. 标准工艺
A}(Q^|6 1) ITO
{w VJv1*l 2)太阳电池减反膜
C1SCV^# `RL n)a 3)高反膜
6 #Afj0 i| OG#PsY- 4)截止滤光片
< ( dg^; LRmH@-qP 5)UV-IRCUT
}SBp c{ch 2 22Mm/QN i.6+ CA 5．操作手册
]='z Y3 1) 目的
)2y#
cM* 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
.0u@PcE:O 2) 使用范围
=S}SZYw l 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
/.%AE|0+X 3) 注意事项
J^<}fRw 1.开机前检查水电气是否正常
nkTu/)or 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
! p|d[ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
;*409 P 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
V /,F6
4) 准备工作
-k"5GUc| 1.基片清洗
?*2Uw{~} 2.补充源材料
8 UN7(J 3.清理真空室
E)utrO R 5) 操作步骤
tc<ly{ 1c 1、开机
*B1%- 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
7c
aV-8: 1.2 打开总电源
z ,q1TU 9 1.3 打开UPS电源
Ij9ezNZT= 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
"YePd * W 机，进行冷泵再生过程。
Yl0_?.1 z 2、放样
b1ma(8{{{ 2.1 清理真空室
eg
Zb)pP 2.2 补充源材料
f{eMh47 NC 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
o!>h
Q#h 2.4 放入样品
68-2E Wq 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
y?@(%PTp 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
P\2UIAPa\b 3、熔源与蒸发镀膜
T?V!%AqY: 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
BEnIyVU;L 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
;@l5kdZx` 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
c&a.<e3mL 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
0mD=Rjb*a 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
]3bXJE DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
&R;Cm]jt 3.6 打开气体流量控制仪
Q%
LQ P!Kg 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
q7u bRak 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
^L"EN sOs 4、取样
yV/A%y-P 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
5x/LHsr=m 行充气过程
6A,-?W'\ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
MclW!CmJ 清理真空室，进入到下一个循环。
U9eb&nd 5、关机
}6!*H! 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
nb ,+!)+ 5.2 关闭UPS，总电源
$F/Uk;*d! 5.3 关闭水、气
