真空蒸镀就是置待镀材料和被镀基板于真空室内,采用一定方法加热待镀材料,使之蒸发或升华,并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。在真空条件下成膜可减少蒸发材料的原子、分子在飞向基板过程中于分子的碰撞,减少气体中的活性分子和蒸发源材料间的化学反应(如氧化等),以及减少成膜过程中气体分子进入薄膜中成为杂质的量,从而提供膜层的致密度、纯度、沉积速率和与基板的附着力。通常真空蒸镀要求成膜室内压力等于或低于10-2Pa,对于蒸发源与基板距离较远和薄膜质量要求很高的场合,则要求压力更低。 n]%T>\gw
%`]&c)Z
· 能在金属、半导体、绝缘体甚至塑料、纸张、织物表面上沉积金属、半导体、绝缘体、不同成分比的合金、化合物及部分有基聚合物等的薄膜,其适用范围之广是其它方法无法与之比拟的; QL].)Vgf
tv]^k]n{rf
· 可以不同的沉积速率、不同的基板温度和不同的蒸气分子入射角蒸镀成膜,因而可得到不同显微结构和结晶形态(单晶、多晶或非晶等)的薄膜; D+nKQ4
U"qR6
· 薄膜的纯度很高; /v <FH}
\GF9;N}V
· 易于在线检测和控制薄膜的厚度与成分。厚度控制精度最高可达单分子层量级; +hIC N,8!
vtByC u5
· 排出污染物很少且基本上没有,无"三废"公害; v=pkze