[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 qk+{S[2j  
&Curvc1fm  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： &[2Ej|o  
W2W2WyPk  
1.正向特性 \+evZ{Pu  
skC|io-Zv  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 H-\{w   
#pm-nU%|_j  
2.反向特性 "o5gQTwb  
A 4W  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 tci%=3,)  
Kn!0S<ssR  
3.击穿特性 /
qz "I-a
 
5{d9,$%8&  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 ]zwqGA  
5?~[|iPv  
%&=(,;d  
图1、二极管的伏安特性曲线 mZ0oa-Iy  
kvgs $  
l SV
W}t  
4、频率特性 BtNW5'^  
1J{z}yPHc  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 a+>W  
ap$tu3j  
二、二极管的简易测试方法 #Wc #fP  
mTuB
*  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 b#I*~  
VgZaDd;  
表 二极管简易测试方法 b-(UsY:  
=[)N6XV3  
ng&EGM  
`j!2uRFe>  
三、二极管的主要参数 I\uB"Z{9  
)Y,?r[4{  
1.正向电流IF Va |9)m  
zyp"*0zUr  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 |gRgQGeB  
2bn@:71`  
2.正向电压降VF UK<DcM~n  
`TlUJ]d)  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 ?'/5%f`  
ks#Z~6+3  
3.最大整流电流（平均值）IOM *"QE1Fum'  
5fx,rtY2sQ  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 t-4R7`A<  
7+!7]'V  
4.反向击穿电压VB xE-c9AH  
R5;eR(24G  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 LI|H
ET_  
Nj-rZ%&  
5.正向反向峰值电压VRM %1?V6&  
|o=\9:wV  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 nC!^,c  
7fTg97eF  
6.反向电流IR ,f0g|5yDf  
^YJ^+:D(  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ?! _pP|  
%FWfiFV|<  
7.结电容C ]|LaMMD  
V =aoB Z  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 Ce'2lo  
_
yB9/F  
8.最高工作频率fm j% USu+&  
(`y|AOs  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。