[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 7'.s7& '7  
mK\aI  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： }~zO+Wf2  
@PXXt#  
1.正向特性 >>V&yJ_  
j#igu#MB
*  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 JMsHK,(  
9q|7<raS  
2.反向特性 P|}\/}{`  
I'A:J  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 g!^J,e=  
<Cq"| A  
3.击穿特性 Gpu_=9vzv  
*.8:'F  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 OmNn,PCl8  
(,tHL  
+Jq`$+%C  
图1、二极管的伏安特性曲线 \(u@F<s-  
(j N]OE^  
<%?uYCD  
4、频率特性 Lz6*H1~  
4A o{M  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 aL)$b  
6ZgNHARS  
二、二极管的简易测试方法 B9W/bJ6%  
,%8$D-4#_  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 ^pw7o6}  
ZR mPP  
表 二极管简易测试方法 .zwVCW,u  
j],&z^O$  
=1Sy@MbH3  
?N_)>&b  
三、二极管的主要参数 vU9ek:.l  
)@$ &FFIu  
1.正向电流IF n
pj5U/  
1^sbT[%R  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 lko3]
A3  
sL mW\\kA>  
2.正向电压降VF .+uVgSN  
Nh:4ys!P  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 UzJ!Y/5  
Zh? V,39  
3.最大整流电流（平均值）IOM ">,K1:(D  
+gNX7xuY  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 %IU4\ZY>  
`D"1 gD}{A  
4.反向击穿电压VB ](n69XX_  
(zEYpTp  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 GZ,j?@  
X&,N}9>B  
5.正向反向峰值电压VRM tnJ`D4  
c}'Xoc  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 .S(^roM;+  
vC-[#]<  
6.反向电流IR <>?^4NC<M  
C#T)@UxBZ  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 }Fz!6F2w  
]3 j[3'  
7.结电容C 3l+|&q[v  
lXw;|dGF  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 8nf4Jk8r  
6ku8`WyoF  
8.最高工作频率fm )2toL5Q  
Uv'uqt  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。