[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 TdgK.
g 4  
ppRmC,0f^  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： _i {Y0d+  
TG}owG]]  
1.正向特性 ":$4/b6  
8j;Un]  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 mFF4qbe  
{/]2~!  
2.反向特性 sko7,&  
0WC\uxT7  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 m;~}}~&vQ  
>^~^
#MT  
3.击穿特性 ?4%H(k5A  
4`Ud\Jm[s  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 llP V{  
gZ4' w`4r  
).;{'8Q  
图1、二极管的伏安特性曲线 <4; nq~  
7.<jdp  

8{jXSCP#  
4、频率特性 ;&&<zWq3h  
%`C*8fc&  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 UE'=9{o`  
u9"yU:1keb  
二、二极管的简易测试方法 ?YW~7zG  
`f;w  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 @4*:qj?  
KAC
lV%jP  
表 二极管简易测试方法 vHf)gi}O|  
Uw("+[5O0  
,!l_  
=@Oo3*>  
三、二极管的主要参数 G1 "QX  
3P6O]x<-?  
1.正向电流IF H ni^S  
fB3Jp~$  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 P`lv_oV  
|T6K?:U7  
2.正向电压降VF {KWVPeh  
}qiZ%cT.G  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 &YXJ{<s  
Q]K` p(  
3.最大整流电流（平均值）IOM mLuNl^)3  
aj`&ca8  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 :ZXd%  
>}V?GK36  
4.反向击穿电压VB GM6,LzH  
lAU99(GXV  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 +]%S}<R  
KrpIH6  
5.正向反向峰值电压VRM XYo,5-  
5*$yY-A  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 eB5>uKa  
p/<DR|  
6.反向电流IR "ioO_  
H.ZIRt!RB  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 UTkPA2x  
XZIapT  
7.结电容C v1:.t  
V.*TOU{{xh  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 -$Z1X_~;)<  
X+;[Gc}(W  
8.最高工作频率fm \1<'XVS  
TwkT|Piw S  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。