[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 @4ccZ&`  
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二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： KF.d
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1.正向特性 K6..N\7  
A9D vU)1  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 lDK<gd  
H N )@sLPc  
2.反向特性 \DgWp:|  
cBGR%w\t%  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 t,v=~LE  
/:BM]K  
3.击穿特性 o 9?#;B$  
R9-Ps qmF  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 z:Q4E|IX  
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]11r+H  
图1、二极管的伏安特性曲线 #mFY?Zp)  
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4、频率特性 5GHW~q!Zo\  
=Zt7}V  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 xGBp+j1H  
P c'0.4  
二、二极管的简易测试方法 Gc1!
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f,s1k[w/;  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 *~b}]M700  
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表 二极管简易测试方法 a6/$}lCq  
KhWt9=9  
7hq$vI%0  
YU(|i}b  
三、二极管的主要参数 $I$ B8  
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1.正向电流IF :'+- %xUM  
=0" Zse,  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 Y`tv"v2  
t:N3k ;k  
2.正向电压降VF Eg/=VBtc  
K7jz*|2  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 ~d)2>A2:  
9NPOdt:@  
3.最大整流电流（平均值）IOM m0$~O5|4  
g"P!KPrf1p  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 V9SkB3-'  
zF-M9f$_PY  
4.反向击穿电压VB F8T.}qI  
qz]g4hS  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 e ab_"W   
aplOo[  
5.正向反向峰值电压VRM )=EJFQ*v  
~4t7Q  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 +Vsd%AnN"l  
p>#QFd"m  
6.反向电流IR @*
s7~:VQ  
"n Zhuk  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 &|j^?ro6  
r'/H3  
7.结电容C dK^WZQ  
0DIXd*oj&  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 "
^3pP(8;~  
6t0-u~  
8.最高工作频率fm + NpHk  
q n2X._`  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。