[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 }1W@  
>##Z}auY  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： T^(> 8/O  
.ws86stFSb  
1.正向特性 I2Imb9k~B  
EC 1|$Co  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 aYDo0?kF'  
hidQOh  
2.反向特性 : ^("L,AF  
Id&e'  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 L9lJ4s  
_{-[1-lN5_  
3.击穿特性 .6xMLo,R  
{_/o' 6  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 Fm,` ]CO  
ixSr*+  
kwL|gO1L  
图1、二极管的伏安特性曲线 zRou~Kxi  
+vaA P=  
tW/g0lC%  
4、频率特性 cR_pC 9z  

7eAV2.  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 y.c6r> }  
D>-r `  
二、二极管的简易测试方法 t ^[fu,  
(:HT|gKoE  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 P_w4 DU  
Y
WvD+  
表 二极管简易测试方法 v"W*@7<`S  
f:ObI  
@uldD"MJ<]  
*=.~PR6W{  
三、二极管的主要参数 rM"27ud[`_  
(+[%^96 
 
1.正向电流IF . ump? M  
}cr'o"4  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 %l
!?d`?  
Uq
$/Q7  
2.正向电压降VF :C(/yg  
#Pp:H/b  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 )Wr_*>xj  
D2kmBZ3  
3.最大整流电流（平均值）IOM eNK[P=-  
DZtpY{=Z  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。  d]`6N  
kuD$]A Q`&  
4.反向击穿电压VB dN)8r  
tVEe)QX  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 fy4zBI@  
vxj:Y'}  
5.正向反向峰值电压VRM 5P%#5Yr2  
 }o*A>le  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 N=KtW?C  
M|mfkIk0MB  
6.反向电流IR _huJ*W7lR  
t]@>kAA>2L  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 n@RmH>"  
"TZY)\{L  
7.结电容C CTRUr"  
<1l%|   
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 
jez0 A  
peO@ZKmM  
8.最高工作频率fm A}(]J!rc  
6dR+qJa6i  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。