一、
二极管的特性
$NG++N tSHFm - q` 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性
曲线如图1所示：
s([dGD$i wT_h!W 1.正向特性
.%}+R|g qT mD '2 另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
$>q@SJ1q N#k61x 2.反向特性
(f#b7O-Wn (K<9h L+X 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
KoBW}x9Jp [ hh/1[ 3.击穿特性
Q8nId<\( d) ahF[82 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
K5 KyG ~
'Vxg} 
,r^"#C 0J} 图1、二极管的伏安特性曲线
L%\b' fs l#qv 5f [V}, tO|
4、频率特性
[f{VIE*?% @cD uhK"U} 由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
diT=x52 n/Dp"4H%q 二、二极管的简易测试方法
I4c!m_sr WO*9+\[v 二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表
电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表
#x@ eDnb_ 5iX!
lAFJ 表 二极管简易测试方法
=o 7}]k7 lB;FUck9 
L IpEQ7; EL{vFP 三、二极管的主要
参数 9pSUIl9|j $)Bg JDr 1.正向电流IF
= ;L*<I j`>^1Q 在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
5Av=3[kh"% KY9n2u&4 2.正向电压降VF
XNH4vG
| obH; g* 二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
#f,y&\Xmf h Z$t$3 3.最大整流电流（平均值）IOM
4'>1HW ;0%OB*lcgE 在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
P 7D !6q {MBTP;{*~ 4.反向击穿电压VB
6g:|*w Bi%x`4Lf 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
b^CNV do' YTaLjITG 5.正向反向峰值电压VRM
mTDVlw0dh 5Rv +zQ#GR 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
~qP[eWe C(?blv-vM0 6.反向电流IR
!nf-}z e{ \IM4Z|NN" 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
r%]Qlt ~K qSU| = 7.结电容C
PL=^}{r O6s.<` \ 结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
o*S"KX $ BOVPKX 8.最高工作频率fm
P ,mN > w Iv o"|% 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
