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    [分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

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    离线小欣
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2010-02-01
    关键词: 晶体二极管
    一、二极管的特性 6p=OM=R  
    2u B66i  
    二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: VLLE0W _]  
    Xs,[Z2_iq  
    1.正向特性 ';HNQe?vT  
    E{):z g  
    另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 A>0wqT  
    wD*z >v$  
    2.反向特性 z}772hMB  
    G<dWh.|`=  
    二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 TGSUbBgU  
    u]<7}R@s  
    3.击穿特性 <1^\,cI2  
    CLQE@kF;  
    当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 g8+Ke'=_  
    s":\ >  
    N:4oVi@Je  
    图1、二极管的伏安特性曲线 be@\5  
    VG)Y$S8.>  
    ( E8(np  
    4、频率特性 cx+li4v  
    4u!<3-3Zy  
    由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 F9N/_H*+  
    QTy xx  
    二、二极管的简易测试方法 W*S !}ZT`  
    GS<aXh k  
    二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 zi7>!#(  
    $qvk9 B0E  
    表 二极管简易测试方法 Xp_3EQl  
    E0SP  
    ~|FKl%  
    bwr}Ge  
    三、二极管的主要参数 r[u@ [  
    JGLjx"Y  
    1.正向电流IF ~F{u4p7{N  
    bD: yu  
    在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 vX9B^W||x  
    ZysZS%  
    2.正向电压降VF s#nd:$p3  
    *E"OQsIl  
    二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 RhL!Z z  
    4R;6u[ a]u  
    3.最大整流电流(平均值)IOM )`4g,W  
    \[!k`6#t7  
    在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 qGH s2Og  
    ; aI`4;  
    4.反向击穿电压VB !awsQ!e|  
    bOY<C%;C  
    二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ;Wo\MN  
    Os9;;^k  
    5.正向反向峰值电压VRM D09/(%4j  
    v?9  
    二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 _&]B  
    KX|7mr90K  
    6.反向电流IR qjtrU#n  
    2V-zmyJs5  
    在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 t 7(#Cuv-  
    uyp|Xh,  
    7.结电容C G#|`Bjv"aP  
    I_h8)W  
    结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 [r)Hm/_=|U  
    XSw!_d  
    8.最高工作频率fm @@])B#  
    vz~QR i*  
    二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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    te67f42 光币 +1 原创内容,奖励! 2019-07-06
     
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