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半导体激光器的设计和工艺 U}x2,`PI  
黄永箴 >JkQU e  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 YR@@:n'TP  
集成光电子国家重点实验室 z| Hl*T  
<x,u!}5J  
一. 半导体激光器的基本结构 x$Ko
|:-  
1.半导体双异质结构 &cV$8*2b^  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) cpF\^[D  
3. 侧模控制(基侧模) iW(HOsA  
4.横模控制 7[rn ,8@  
5. 动态单模半导体激光器 +ByxhSIr  
6. 波长可调谐半导体激光器 idMb}fw>  
7.长波长VCSEL的进展 e#(0af8A  
8.微腔激光器和光子晶体 EDcR:Dw3  
9.半导体激光器材料的选择 &^Zo}F2V  
WO?EzQ ?  
二.半导体光波导 ,B(UkPGT  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 #I|Vyufw  
2. 光限制因子和模式增益 iNUisl  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 7L|w~l7R~  
4. 半导体激光器镜面反射系数 |\TOSaZ  
5. DFB激光器的藕合模理论 : ~"^st_[!  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 wj!p6D;;S  
7. 等效折射率近似 ^3B{|cqf  
8. 数值模拟 FbO-K-  
{+r pMUs#  
三.半导体中的光跃迁和增益 LyH8T'C~  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ,UopGlA ,  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 *v)JX _  
3.简约态密度及增益谱 iJv4%|9  
4.模式的自发辐射速率 y44FejH(v  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ywXerz7dUk  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 S5*wUd*p#  
7.增益谱峰值的近似表达式  TOdH  
"aHY]E{  
四. 速率方程和动态效应 R/R[r> 1)6  
1．单模速率方程及基本物理量 yw^t6E  
2．稳态输出 %Qgo0  
3. 共振频率和3dB带宽 4-^
|e  
4. 载流子输运效应对带宽影响 k!H;(B"s-  
5. 开启延迟时间 _6Wz1.]n  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 jhjGD
F  
7. 自发辐射引起的噪声 $9Hod-Z1  
8. 相对强度噪声 -|B?p
R  
9. 模式线宽 {:xINQ=}D  
10. 多模速率方程 O6LZ<}oUR  
\~UyfVPRT  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 {>tgNW>)  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 rVowH
P  
3.激光器寿命 9a9<I  
4.激光器阈值电流的温度特性 xRpL\4cs  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。