408nm InGa N/ Ga N LED 的材料生长及器件光学特性 |+}G|hx@9
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摘要: 通过提高InGaN 量子阱结构的生长温度,降低量子阱In 组分的掺入效率,提高InGaN/ GaN 量子阱结构生长质量,缩短L ED 输出波长等手段,实现了紫光L ED 高效率输出. 采用高分辨率X 射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/ GaN 多量子阱的结构和光学特性. 封装后的300μm ×300μm L ED 器件在20mA 的注入电流下输出功率为512mW ,输出波长为408nm. fU+Pn@'
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关键词: 量子阱; GaN ; L ED
