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    [论文]408nm InGa N/ Ga N LED的材料生长及器件光学特性 [复制链接]

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    离线flashcat
    论坛版主
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2008-06-22
    408nm InGa N/ Ga N LED 的材料生长及器件光学特性 NTV@,  
    | Kw}S/F  
    摘要: 通过提高InGaN 量子阱结构的生长温度,降低量子阱In 组分的掺入效率,提高InGaN/ GaN 量子阱结构生长质量,缩短L ED 输出波长等手段,实现了紫光L ED 高效率输出. 采用高分辨率X 射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/ GaN 多量子阱的结构和光学特性. 封装后的300μm ×300μm L ED 器件在20mA 的注入电流下输出功率为512mW ,输出波长为408nm. zvOSQxGQ  
    FR^(1+lx&  
    关键词: 量子阱; GaN ; L ED
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    共1条评分
    cyqdesign 金钱 +5 - 2008-06-22
     
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    离线cc2008
    高级工程师
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    只看该作者 1楼 发表于: 2008-06-23
    谢谢。
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    离线defeiwang
    助理工程师
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    只看该作者 2楼 发表于: 2008-06-28
    像看看的哦
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    离线qianwu01
    实习生
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    只看该作者 3楼 发表于: 2008-08-08
    谢谢楼主
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    离线jakey421
    实习生
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    只看该作者 4楼 发表于: 2008-09-08
    看下先,我很喜欢LED,觉得它很有前景
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    离线dddddq
    实习生
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    只看该作者 5楼 发表于: 2010-04-14
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    离线寒飞扬
    实习生
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    只看该作者 6楼 发表于: 2012-02-06
    先看看
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    离线苦命气球
    助理工程师
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    只看该作者 7楼 发表于: 2014-10-17
    谢谢楼主的分享啦！！
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    离线chengzheng
    工程师
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    只看该作者 8楼 发表于: 2015-10-24
    好资料  支持一下
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