[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

Dear各位大大................. zFqlTUD`t  
YxUC.2V|7$  
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... W5^m[,GU'  
jLRh/pbz4  
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ +q/ j  
As;@T$G  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ *|T]('xwC  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 Pu=,L#+FN  
    n5~7x  
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 ^T#bla893  
    1webk;IM  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 \Y0o~JD  
    `H.~#$  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 O#g'4 S  
    `EUufTYi
 
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 ueyz@{On~  
    +y$%S4>0tp  
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 N
j<}t/e  
    i*Wekr3Wo  
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 *t JgQ[  
 d@a FW  
8.模擬光源假設條件： G98P<cyD  

"+g9}g  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 &?R2zfcM  
-.>b7ui  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 ^}+qd1r  
*oC],4y~D  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? arR9uxP  

光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大