300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm &c@I4RV|q
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm A><%"9pZ
780~1200 nm T ave <1% Qg oXOVo6
qx? lCz a"
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) )d1,}o
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H: Ta2O5 L:SiO2 p0YTZS ]h
a+BA~|u^
該如何設計