300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm (f
$Y0;v>}
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm !(l,+@j
780~1200 nm T ave <1% e7pN9tXGf
7s>d/F3*
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) /8J2,8vZ
\MK)dj5uUJ
H: Ta2O5 L:SiO2 D[:7B:i
K#+TCZ,
該如何設計