在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： V4CL% i
• 生成材料 sy(8-zbI
• 插入波导和输入平面 2Fx r jA
• 编辑波导和输入平面的参数 sQ
aP:@
• 运行仿真 xgQ&'&7l
• 选择输出数据文件 \:5 M0
• 运行仿真 S2\|bs7;J,
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 P 5_ l&
oD8X]R,
H
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 KB5<)[bs
"Nh} _j O
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： l\DcXgD
x
• 定义MMI星型耦合器的材料 Q13>z%Rge
• 定义布局设置 [rO TWN
• 创建MMI星形耦合器 U?e.)G
• 运行模拟 zqlgJn
• 查看最大值 B.Y8O^rx
• 绘制输出波导 '\wZKY VN
• 为输出波导分配路径 ',l}$]y5
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 &57s //PrX
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 v2KK%Qy
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 sIz*r Gz
1. 定义MMI星型耦合器的材料 *t_JR
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 !g2 ~|G
步骤 操作 P/Zp3O H
1) 创建一个介电材料： ;a9`z+ K
名称：guide P>wT p)
相对折射率(Re)：3.3 HlgkW& }c^
2) 创建第二个介电材料 #,jw ! HO]
名称： cladding Z~6PrM-M
相对折射率(Re)：3.27 :p0<AU47
3) 点击保存来存储材料 3cB=9Y{<
4) 创建以下通道： d3&l!DoX
名称：channel zi?G
wh~
二维剖面定义材料: guide u?V
Tnsu
5 点击保存来存储材料。 Rdj /n :
$/|2d4O:{
2. 定义布局设置
c W^
要定义布局设置，请执行以下步骤。 |S.; ']t+
步骤 操作 BW{&A&j
1) 键入以下设置。 h/xV;oj
a. Waveguide属性： ?Vo/mtbY5X
宽度：2.8 k3VRa|Y")
配置文件：channel z$ b'y;k
b. Wafer尺寸： +et )!2N
长度：1420 iT,Ya-9"
宽度：60 4&}dA^F
c. 2D晶圆属性： e;r?g67
材质：cladding )D8V;g(7F
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 Y u e#
4VI'd|Ed
3. 创建一个MMI星型耦合器 ~`!{5:v
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 Y8@TY?
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 CU_8
`}
步骤 操作 )^[PW&=W|x
1) 绘制和编辑第一个波导 5$<Ozkj(
a. 起始偏移量： !J k|ha ~r
水平：0 ^#p+#_*V
垂直：0 O]-s(8Oo3
b. 终止偏移： BQF7S<O+
水平：100 nv}z%.rRUj
垂直：0 D\ kd6
2) 绘制和编辑第二个波导 Og/@w&
a. 起始偏移量：
y8/+kn +
水平：100 Q/y"W,H#
垂直：0 vQsI^p
b. 终止偏移： 2e*"<>aeq
水平：1420 K/IG6s;Xj
垂直：0 v i~NfD@s
c. 宽：48 0;n}{26a
3) 单击OK，应用这些设置。 g;._Q
