在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： vG:S(/\>
• 生成材料 #giH`|#d
• 插入波导和输入平面 "dHo6CT,y_
• 编辑波导和输入平面的参数 45 H9 pY w
• 运行仿真 5DJ!:QY!
• 选择输出数据文件 tA^CuJR
• 运行仿真 T0N6k acl
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 )JhB!P(
xy]oj
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 _k#!^AJ}x
jS)YYk5
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： <vt}+uMzXv
• 定义MMI星型耦合器的材料 v oO7W "
• 定义布局设置 : . PR M+
• 创建MMI星形耦合器 "A0y&^4B@
• 运行模拟 EFv^uve
• 查看最大值 #u3E{ NB
• 绘制输出波导 Bm 4$
• 为输出波导分配路径 u/ri
{neP{
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 UkcH+0o
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 OHt^e7\
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 zU'7x U-
1. 定义MMI星型耦合器的材料 QZJnb%]
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 =t
%;mi,M
步骤 操作 N~P1^x~
1) 创建一个介电材料： T.W^L'L `
名称：guide ~=9S AJr]
相对折射率(Re)：3.3 `3* QKi$
2) 创建第二个介电材料 Rh%@N.Z*
名称： cladding ^fE8|/]nG9
相对折射率(Re)：3.27 :< HLw.4O
3) 点击保存来存储材料 E=91k.
4) 创建以下通道： i(k x'ua?
名称：channel _ {n4jdw%(
二维剖面定义材料: guide ]|u7P{Z"R
5 点击保存来存储材料。 ~V0 GRPnI
'K\H$<CJ
2. 定义布局设置 LI< Emez
要定义布局设置，请执行以下步骤。 o#>Mf464I
步骤 操作 JvNd'u)Z<
1) 键入以下设置。 ~[=d{M!$W
a. Waveguide属性： m'M5O@?
宽度：2.8 6 X'#F,M
配置文件：channel O* lE0 ~rJ
b. Wafer尺寸： v]rbm}uU9
长度：1420 M(I%QD
宽度：60 *=tA },`\7
c. 2D晶圆属性： % bKy
材质：cladding B> c2 *+Bk
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 v +o6ZNX
I@IE0+ [n
3. 创建一个MMI星型耦合器 ia,5=SKJ
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 /1_O5'5+v
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 Hp5.F>-
步骤 操作 QEMT'Cs
1) 绘制和编辑第一个波导 8l'W[ 6
a. 起始偏移量： !tb!%8{~
水平：0 f$vU$>+[
垂直：0 nW<nOKTnk_
b. 终止偏移： qJ2Z5
水平：100 YW"uC\kg|
垂直：0 ouO9%)zv
2) 绘制和编辑第二个波导 <"}t\pT]
a. 起始偏移量： ju07gzz
水平：100 7]ySj<1
垂直：0 ]68 FGH
b. 终止偏移： A~X\ dcn
水平：1420 Fnay{F8z
垂直：0 % m
[l/,2x
c. 宽：48 <H{K&,Z(ZM
3) 单击OK，应用这些设置。 "zkQ u
