在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： _6|
/P7"
• 生成材料 7Ljs4>%l9j
• 插入波导和输入平面 pZW}^kg=
• 编辑波导和输入平面的参数 7?)m(CFy
• 运行仿真 !Q\X)C
• 选择输出数据文件 1Q3%!~<\s
• 运行仿真 _dz:\v
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 dVK@Fgo
2I9{+>k
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 &fh .w]\
+*]SP@|IYI
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： g=)U_D PRi
• 定义MMI星型耦合器的材料 )GQ D*b
• 定义布局设置 hnlU,p&y3
• 创建MMI星形耦合器 mOgx&ns;j
• 运行模拟 !NQf< ch
• 查看最大值 _AA`R`p;
• 绘制输出波导 9p!d Q x
• 为输出波导分配路径 *NKC \aV`0
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 a .B\=3xn
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 t(Cq(.u` :
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 \["1N-q b
1. 定义MMI星型耦合器的材料 Fvcq^uZ
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 7~QwlU3n<F
步骤 操作 rl_1),J\qG
1) 创建一个介电材料： h= m I{w*
名称：guide uT@8 _9
相对折射率(Re)：3.3 \q>e1 -
2) 创建第二个介电材料 9. ]Cy8
名称： cladding ?3e!A9x
相对折射率(Re)：3.27 cJ 1{2R
3) 点击保存来存储材料 \ltE rd-
4) 创建以下通道： !'c6 Hs
名称：channel 4
g/<).1<b
二维剖面定义材料: guide w96j,rEC
5 点击保存来存储材料。 -b Ipmp?
RJ7/I/yD|
2. 定义布局设置 U{.+*e18
要定义布局设置，请执行以下步骤。 =!Baz&#}
步骤 操作 !~VR|n-
1) 键入以下设置。 ?`BED6$`G9
a. Waveguide属性： fNmG`Ke
宽度：2.8
~gcst;
配置文件：channel S(YHwH":
b. Wafer尺寸： 2t~7 eI%d
长度：1420 {jCu9 ]c!
宽度：60 MWp\D#H
c. 2D晶圆属性： $e^ :d
材质：cladding tle K (^
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 XJV3oj
/(z0I.yE
3. 创建一个MMI星型耦合器 h)aWerzL
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 / s-jR]#VA
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 8P'En+uE1|
步骤 操作 ^me}k{x
1) 绘制和编辑第一个波导 "|~B};|MFF
a. 起始偏移量： U_=w L
水平：0 FcbA)7dD
垂直：0 {? kKpMNNn
b. 终止偏移： WhVm ycdv
水平：100 R*c0NJF
垂直：0 M<|~MR
2) 绘制和编辑第二个波导 lpX p )r+
a. 起始偏移量： `U?H^,FVA
水平：100 :[ZC-hc \
垂直：0 <8xP-( wk;
b. 终止偏移： MX< ($M
水平：1420 k%4A::=
垂直：0 f%"_U'
c. 宽：48 Wcay'#K,
3) 单击OK，应用这些设置。 s D8xH
