在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： m@ YL Z
• 生成材料 &
j43DYw4
• 插入波导和输入平面 a 2TC,
• 编辑波导和输入平面的参数 M %~kh "
• 运行仿真 d/1XL[&
• 选择输出数据文件 O [/~ V=
• 运行仿真 j$6}r
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 SCij5il%
>q`X%&l_
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 Npqb xb
VM[8w`
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： 0N.*c
• 定义MMI星型耦合器的材料 $$a"A(Y
• 定义布局设置 ~
4a aJ0
• 创建MMI星形耦合器 YbKW;L&Ff
• 运行模拟 .FU E F)
• 查看最大值 4"sP= C
• 绘制输出波导 & ,zeBFmc
• 为输出波导分配路径 I1g u<a
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 9\F^\h{
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 U,'n}]=4A3
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 Y~R wsx
1. 定义MMI星型耦合器的材料 w8qI 7 /
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 s 6B@:9
步骤 操作 `f'P
1) 创建一个介电材料： K_i2%t3
名称：guide 5 S 1m&s5k
相对折射率(Re)：3.3 t(Uoi~#[
2) 创建第二个介电材料 qb Q> z+c
名称： cladding )-(NL!?`
相对折射率(Re)：3.27 DjIs"5Iei
3) 点击保存来存储材料 (rJvE*
4) 创建以下通道： _bX)fnUu
名称：channel Q*I/mUP&f
二维剖面定义材料: guide xk/(| f{L
5 点击保存来存储材料。 h>wU';5#f
$IHa]9 {
2. 定义布局设置 [# :k3aFz
要定义布局设置，请执行以下步骤。 F<$&G'% H
步骤 操作 pPE4~g 05h
1) 键入以下设置。 DCj!m<Y&
a. Waveguide属性： { T.VB~C
宽度：2.8 L-XTIL$$
配置文件：channel <6@Db$-
b. Wafer尺寸： G.Q+"+* ^
长度：1420 6R25Xfm_|
宽度：60 *$QUE 0
c. 2D晶圆属性： O%Mh
g\#B
材质：cladding <t8})
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 `)'YU^s
.MKxHM7
3. 创建一个MMI星型耦合器 Rh=h{O
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 C
RNO4
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 w^~,M3(+)1
步骤 操作 z8o Sh t`+
1) 绘制和编辑第一个波导 {S?.bT%&
a. 起始偏移量： wegBMRQVp
水平：0 ?1YK-T@
垂直：0 9I,Trk@&
b. 终止偏移： 8g3 6-8
水平：100 W|:WAxJ*d
垂直：0 K&/W cuP &
2) 绘制和编辑第二个波导 Pu=YQ
#F'
a. 起始偏移量： !>M: G:K
水平：100 L(.5: &Y=`
垂直：0 F
J)la9
b. 终止偏移： ="V6 z$N
水平：1420 .m
.v$(
垂直：0 .L}ar7
c. 宽：48 C`fQ` RL\
3) 单击OK，应用这些设置。 /wQDcz
