主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： He]F~GX P • 定义MMI耦合器的材料； ]Ny] Ox< • 定义布局设定； de`6%%| • 创建一个MMI耦合器； F;_; lRAb • 插入输入面； []Fy[G.)H • 运行模拟； H~$|y9>qI • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 3AB5Qs< @e Myq1ZU 1. 定义MMI耦合器的材料 ?_^9e 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： $jzk4V 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ :5Vu .\,1 *1%g=vb 图1.初始性能对话框
Jg Xbs+. 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” C9nNziws EP8LJzd" 图2.轮廓设计窗口
.DX#:?@4@Y 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 ;zOZu~Q|'
K:Ap|F
Kr#=u~~M 图3.电介质材料创建窗口
:#L B}=HQ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： <AIsNqr − Name : Guide $wN .~"T − Refractive Index (Re) : 3.3 ^*r ${Nj − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 8t^"1ND t"L:3<U7 图4.创建Guide材料
u)V* o 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： X-duG*~ − Name : Cladding K1hw' AaQ − Refractive Index (Re) : 3.27 .dygp"* − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 .d fTv/n G'epsD,.bX 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 5FzRusN iA
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： M&K@><6k,k − Name ： Guide_Channel nqH^%/7)A@ − 2D profile definition: Guide u7;A` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 }/L YI Zu$f[U)X 图6.构建通道
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