主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： k =_@1b- • 定义MMI耦合器的材料； l0) uu4| • 定义布局设定； H)tDfk sq\ • 创建一个MMI耦合器； K(S/D(\
FL • 插入输入面； k6S<46}h| • 运行模拟； Y1IlH8+0 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ~yN,F pD \f#ao<vQm 1. 定义MMI耦合器的材料 Jmx }r,j 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： W9"I++~f 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ ")
D!OW] 6Tnzg`0I 图1.初始性能对话框
?f&I"\y 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” ow "Xv H=C;g)R 图2.轮廓设计窗口
UepBXt3) 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 4fswx@l
H;1}Nvv d pkx>6(Y 图3.电介质材料创建窗口
Y{=@^4|] 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： M-Bw9`#Jw − Name : Guide /jD' o> − Refractive Index (Re) : 3.3 ej+!|97M − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 (i 8 t^ }__ +[- 图4.创建Guide材料
J^4k} 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： $'q(Z@ − Name : Cladding "Cb<~Dy − Refractive Index (Re) : 3.27
~A/_\- − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 )w-?|2-w5 o*_ D 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 t UQ)q
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： ;H lv − Name ： Guide_Channel `Z-`-IL − 2D profile definition: Guide @#apOoVW> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 %L 3 ]l nP^$p C 图6.构建通道
e=2D^ G#qE
