1. 建模任务 L*(9Hti 1.1
模拟条件
B `~EA] d 模拟区域:0~10
Y'iX
边界条件:Periodic
LL^KZ- 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
'o>)E> 单位长度:0.5
KP&+fDa
K p3}A$uV w,LtQhQ 1.2堆栈
结构 ,N.8 ,XD"
p1(|G 2. 建模过程 5)k8(kH 2.1设置模拟条件
l!mbpFt
U
v2.Jo/Q m>@hh#kBg 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 :xh{SsW@ ;[v!#+yml IC`3%^ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
+\/Q IGdiIhH~2 3. 结果分析 v, $r.g; 3.1 指向矢分布和透过率
o>el"0rn.h OxlA)$.hpu =
tv70d' 3.2所有畴的V-T曲线
8:ubtB Ma YU%h0 |.<_$[v[x 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
615Ya<3f8