切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 593阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    在线infotek
     
    发帖
    7196
    光币
    30121
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2025-09-17
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: c9u`!'g`i  
    • 定义MMI耦合器的材料 ~IBP|)WA-  
    • 定义布局设定; XJ| <?   
    • 创建一个MMI耦合器; @,7GaK\  
    • 插入输入面; #a,PZDaE  
    • 运行模拟 k(G^z   
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 f+)L#>Gl?  
    L48_96  
    1. 定义MMI耦合器的材料 xr Jg\to{i  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: !``,gExH  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“  {Gk1vcq  
    {]@= ijjf  
    图1.初始性能对话框
    e2oa($9  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” "&?kC2Y|  
    >jLY"  
    图2.轮廓设计窗口
    $Sip$\+*  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Z0", !6nS  
     DA,?}  
    p%=u#QNi  
    图3.电介质材料创建窗口
    :J&oX <nF^  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: Jk n>S#SZ  
    − Name : Guide 4!yzsPJL  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 ={&j07,*a  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 wc4{)qDE  
    Kn;"R:  
    图4.创建Guide材料
    3;{kJQ  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: bwMm#f  
    − Name : Cladding ;$wVu|&  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 m&,(Jla  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Z=o2H Bm7  
    z$. 88 ^  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 u `6:5k  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ?GR"FmB(  
    − Name : Guide_Channel =X:Y,?  
    − 2D profile definition: Guide xY(*.T9K  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 0GCEqQy8  
    xfe+n$~ c  
    图6.构建通道
    &B1WtW  
    2. 定义布局设定 9qzHS~l  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Feq]U?  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 OA;XiR$xP  
    − Width:2.8 i<Zc"v;  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 '7 @zGk##(  
    − Profile:Channel-Guide "@0]G<H  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    S_UIO.K  
    v PG},m~-  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: UySZbmP48  
    − Length:5300 +#@I~u _}D  
    − Width:60 ]Q)OL  
    图8.设置晶圆尺寸
    /@TF5]Ri  
    BUXpC xQ  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 'zuIBOH`j3  
    − Material:Cladding s9DYi~/,  
    − 点击OK以激活布局窗口 j'"J%e]  
    图9.晶圆材料设置
    fuf"Ae  
    E{P|)`,V  
    4) 布局窗口 6mxfLlZ  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    Z,Dl` w  
    j{+.tIzpq[  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ` 7V]y -  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 .Vvx,>>D  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 #?- wm  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ,(^*+G.i  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ^o&. fQ*  
    图12.最终布局显示
    ;+ hH  
    0)Wltw~`&  
    3. 创建一个MMI耦合器 6A+nS=  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Ne1$ee. NE  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 _ *Pf  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 i2SR{e8:GF  
    图13 .绘制第一个线性波动
    dJNe+ MB`  
    &Hs!:43E-<  
     
    分享到