主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: r]8wOu-' • 定义MMI耦合器的材料; 4^d+l.F • 定义布局设定; t/l! KdY$ • 创建一个MMI耦合器; F Q8RK~?` • 插入输入面; 7Vz[ji • 运行模拟; 08TaFzP81 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 b@nri5noBm
3MNhH 1. 定义MMI耦合器的材料 $=e&q 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: r
Iya\z1W 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ vjexx_fq
w.4u=e >Z4 图1.初始性能对话框
$nUd\B$.= 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” N?MJ#lC
F OaD
Alrm 图2.轮廓设计窗口
D8r>a"gx 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 !Iw{Y'
P!`Q_h6a ,!o\),N 图3.电介质材料创建窗口
K7t&fDI 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: F&W0DaH − Name : Guide Hmz=/.$ − Refractive Index (Re) : 3.3 e5*5.AB6& − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 (PCimT=5 /3CHE8nSh 图4.创建Guide材料
v`[Tl 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: =:xV(GK} − Name : Cladding 2*~JMbm − Refractive Index (Re) : 3.27 [
4?cM\_u@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 KuIt[oM g|&.v2 ' 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 .u&&H_ UmE
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: SQO>}#qm − Name : Guide_Channel kjLsk- − 2D profile definition: Guide C:'WX*W − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 2ru*#Z#( `^XRrVX< 图6.构建通道
)0Y #-=.< 2. 定义布局设定 B$} wF<`k7
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Q%,o8E2~
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 1S*8v 7
− Width:2.8 dCf'\@<<
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 I3}HNGvU
− Profile:Channel-Guide <;$Sa's,LE
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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lZW
I2t-D1X
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: !#,-
− Length:5300 B|]t\(~$[
− Width:60 7AGZu?1]M
图8.设置晶圆尺寸
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pz*/4
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ?J^IAFy
− Material:Cladding %:'1_@Ot2
− 点击OK以激活布局窗口 Ak\D6eHcB
图9.晶圆材料设置
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" SB1
4) 布局窗口 h@PMCmf_
图10.默认情况下布局窗口显示
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qHC*$v#.V?
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ~# h E&nq
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 vc>^.#7
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 q_9N+-?{7
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 +H)!uLvaB
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 P\*2c*,W;
图12.最终布局显示
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k$$S!qi#
3. 创建一个MMI耦合器 X*0eN3o.
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: &;NNUT>Q
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ~
X]"P4 u
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 D*d 3w
图13 .绘制第一个线性波动
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Zi<Sw