主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Y.tx$% • 定义MMI耦合器的材料; L*nK>
+ • 定义布局设定; e~'`x38 • 创建一个MMI耦合器; hlTbCl • 插入输入面; :!ya&o • 运行模拟; U,
6iT • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 k4TWfl^}9 p{FI_6db 1. 定义MMI耦合器的材料 pl[J!d.c 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: rr<E#w 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ {|;a?]? 8%@|/ 图1.初始性能对话框
WzMYRKZ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” gr=h!'m >yIJ8IDF 图2.轮廓设计窗口
s?SspuV 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 }\pI`;*O|
jvT'N@ ;"3B,Yj 图3.电介质材料创建窗口
3Ob.OwA 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: sdu?#O+c1 − Name : Guide ,Z.sGv − Refractive Index (Re) : 3.3 2[E wN!IZ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 !e$gp(4
,Q`qnn& 图4.创建Guide材料
{Gxe%gu6K 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: R>Ra~b − Name : Cladding
y(A' *G9 − Refractive Index (Re) : 3.27 J~YT~D2L − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 GK?ual1 4s\spvJ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 h}bfZL
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Bqx5N" − Name : Guide_Channel \P\Z<z7jy − 2D profile definition: Guide i`,FXF) − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 JAbUK[:K ,d
G. 67 图6.构建通道
1MelHW 2. 定义布局设定 nHK(3Z4G
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Qm%F]nyy
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 f|RmAP;X,
− Width:2.8 }xZi Ct
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 S0$^|/Sr
− Profile:Channel-Guide UD I{4+z
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ~lj~]j
− Length:5300 kmB!NxF>)F
− Width:60 F_-Lu]*
图8.设置晶圆尺寸
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b*|~F
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 37AVk`a
− Material:Cladding i1iP'`r
− 点击OK以激活布局窗口 g40Hj Y
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 ]5!3|UYS
图10.默认情况下布局窗口显示
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gY}In+S
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ju~$FNt8R
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 MDMd$]CW
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 '3.\+^3
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 #A63?kDE&&
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 %1z;l. c
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 56.!L
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: ^@fD{]I
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 g` rr3jP
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 .?>Cav9:
图13 .绘制第一个线性波动
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