主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: {J~VB~(' • 定义MMI耦合器的材料; h[(. • 定义布局设定; [Fk|%;B/~ • 创建一个MMI耦合器; ZVIlVuZ} • 插入输入面; nG4}8 • 运行模拟; )`5=6i • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 GtLnh~) !-AK@`i. 1. 定义MMI耦合器的材料 EBMZ7b-7 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: }Gf9.ACQ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ %LjhK,'h qxbGUyH== 图1.初始性能对话框
+wIv|zj9 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” L)"E _ '5etZ!: 图2.轮廓设计窗口
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Sw+fhy< 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 R LNto5?
?v,4seRuz ?s]+2Tq 图3.电介质材料创建窗口
>(He,o@M 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: zvOSQxGQ − Name : Guide O>,Rsj!e − Refractive Index (Re) : 3.3 Lq#$q>!K − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ~0V,B1a v43FU3 图4.创建Guide材料
UPcx xtC 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: (@i2a − Name : Cladding vYNu=vnM − Refractive Index (Re) : 3.27 g9G
8; − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 z8JdA%YBM hQ _gOI 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 \1nj=ca?
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: >Pwu> − Name : Guide_Channel ?4sF:Y+\ − 2D profile definition: Guide ^kh@AgG^ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 =bh.V@* }J+\o~ 图6.构建通道
4l?"zv1 2. 定义布局设定 ^3lEfI<pBm
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: h(gpqSN
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Evt&N)l!^
− Width:2.8 wvz_)bN~A
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 @QbTO'UzK`
− Profile:Channel-Guide O m5+j:YM
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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;@s'JSPt
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ICm/9Onh&
− Length:5300 EZ)$lw/!J
− Width:60 ;oivG)hJl
图8.设置晶圆尺寸
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!8}x6
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ~ L?q.*q
− Material:Cladding RGz NZc
− 点击OK以激活布局窗口 JG* Lc@ Q
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 gaVQ3NqF
图10.默认情况下布局窗口显示
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aP` V
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: k*k 9hv?
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ^k}%k#)
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 =x-@-\m
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 $[M5Vv
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 +&qj`hA-b
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 _28vf Bl?
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 97\9!)`,
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Kn4x_9
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 uS&NRf9A
图13 .绘制第一个线性波动
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