主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: v. ,|#}0 o • 定义MMI耦合器的材料; av>c • 定义布局设定;
%"GF+ • 创建一个MMI耦合器; mA|&K8H • 插入输入面; %4#,y(dO • 运行模拟; {UpHHH:X# • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 (vm&&a@ w=EUwt 1. 定义MMI耦合器的材料 OU;R;=/] 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 74YMFI 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ UW7*,B q &V5[Zj|] 图1.初始性能对话框
o -tc}Aa 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” z -|gw.y &6fNPD(| 图2.轮廓设计窗口
`n%uvo}UT 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 M<Mr
L[*j
%2Q:+6) UpL1C~& 图3.电介质材料创建窗口
Y 1a[HF^- 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: }:u" ?v=|j − Name : Guide E"!I[ − Refractive Index (Re) : 3.3 B6)d2O9C − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 hn9'M!*:O ;AV[bjRE\ 图4.创建Guide材料
m1@ste;$W 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 8wGq:@#= − Name : Cladding X|+ o4R? − Refractive Index (Re) : 3.27 n<
UuVu − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Wbo{v r[2+ cIqk=_] 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 <p"[jC2zF;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: n1OxT"tD − Name : Guide_Channel PI{;3X}9$, − 2D profile definition: Guide c$?(zt; − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 VW^6qf/, MhMY"bx8 图6.构建通道
A/n-.ci 2. 定义布局设定 qzk/P1{-
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Q 6djfEN>
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 0TA{E-A
− Width:2.8 Kx.'^y
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 hE>ux"_2/
− Profile:Channel-Guide j)4:*R.Z]
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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e?W-vi%
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 4yhan/zA
− Length:5300 5\RTy}w3x
− Width:60 $hexJzX
图8.设置晶圆尺寸
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RlH|G
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 0* Ox>O>
− Material:Cladding R=uzm=&nR
− 点击OK以激活布局窗口 C!KxY/*Px
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 I&9_F%rX
图10.默认情况下布局窗口显示
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H&K(,4u^
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: `#O%ZZ+
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 O
<;Au|>*
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 qYD$_a
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 lJaR,,
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 f681i(q"
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 EfxW^zm)
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Dep.Qfv{-
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 <A{|=2<
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ^)$(Fe<
图13 .绘制第一个线性波动
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