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    [原创]随便聊聊离子源 [复制链接]

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    离线ouyuu
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 08-10
    近几年国内兴起来很多镀膜机制造厂家,老牌的国外镀膜机厂家日渐衰微。 <(~geN  
    国外厂家以前值得夸耀的离子源系统和光控系统国内也基本攻克了,也就是稳定性上有点优势。 g87M"kQKA  
    kw1Lm1C  
    国内镀膜机上常见的离子源应该是霍尔源和射频源。 "1ZVuI  
    这两种源都利用了磁场--电子在磁场做圆周(螺旋)运动, JQ\o[t  
    从而增加了电子在空间的行程,增加了和工作气体碰撞的几率。 _p+q)#.W  
    不同的是霍尔源一般是永磁铁,磁场没有变化; 23zR0z(L  
    而射频源是震荡磁场,磁场会周期变化,电子也会周期振荡。 /-3)^R2H  
    霍尔源一般没有栅极,所以离子的能量(电压)比较小,但是数量(电流)可以很大; DsiyN:o'+  
    射频源有栅极,所以离子能量(电压)可以加的很高,但是数量(电流)有限制。 J\I`#  
    一般镀膜时候离子电压在1kv水平就够了; &G+:t)|S  
    离子能量增大到10kv水平,这个能量能把基材表面的颗粒打飞,一般用于离子溅射; KH[Oqd  
    离子能量加大到几百万电子伏特时,能把离子直接打进基材里面,这个就用在离子注入机上。 k0DX|O8mXV  
    ".fnx8v,  
    射频源的难点在于栅网和射频匹配, &gvX<X4e  
    栅网受热会膨胀变形,而栅网之间通常离得很近,受热变形后就容易接触打火。 C2J@]&  
    新的栅网还好说,随着栅网越用越薄,变形的几率就越来越大。 DJNM =v  
    进口栅网一般是整块钼块掏制的,就是为了克服受热变形。 r*ry8QA  
    用钼板旋压则制作成本较低,但是变形量比掏制的要大很多。 .lppT)P  
    mw=keY9]  
    射频匹配就是调整可变电容来匹配射频震荡回路,使得反射电流最小化。 jATN):8W  
    一般只要接触良好,线圈不发生变形,LC震荡回路的匹配值只和真空度和气体有关, sJLJVSv8c  
    离子源本体因为会要切换气体(一般是Ar和O2),所以必须自动匹配, e(-Vp7vXG  
    中和器只用Ar,所以匹配好了基本上不会变化。 {Hxziyv~Y(  
    如果发生反射很高的情况,要么就是接触产生问题了,要么就是线圈变形了, 5kj=Y]9\I  
    或者就是哪里对地短路了。
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    xzaxd 光币 +5 优秀资料,加分! 08-12
    cyqdesign 光币 +20 原创内容,奖励! 08-11
     
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    离线quan6658
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    只看该作者 1楼 发表于: 08-16
    那如果射频离子源报加速电流异常一般是什么原因造成的?栅网也没有发现有破损或掉渣,但是栅网中间部分会有局部出现与其它地方不一致颜色的扭曲线条,像个W Ob7F39):N  
    离线ouyuu
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    只看该作者 2楼 发表于: 08-23
    是哪家的离子源,不同厂家的离子源加速极位置不一样。 0SWec7G  
    有照片最好发一下,有可能是打火。 q\\52 :\  
    栅网之间位置过近或者孔位偏差会造成打火。 UR.l*+<W7  
    Ps7Bt(/  
    有可能是没装好,也有可能是本身栅网的问题。
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    只看该作者 3楼 发表于: 08-27
    学习了。之前有个一直反射电流高,后面就是换了那个电容才OK。今天看了这个好像明白了一点。谢谢分享。
    离线quan6658
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    只看该作者 4楼 发表于: 08-30
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:是哪家的离子源,不同厂家的离子源加速极位置不一样。 +84JvOkWi  
    有照片最好发一下,有可能是打火。 s<t*g]0`/  
    栅网之间位置过近或者孔位偏差会造成打火。
    有可能是没装好,也有可能是本身栅网的问题。 (2025-08-23 17:57)  3"Y |RSy  
    S0 AaJty  
    没有拍照,网子已经打磨了
    离线quan6658
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    只看该作者 5楼 发表于: 08-30
    镀红外膜用霍尔源是比射频源更好吗?我们用霍尔源镀红外膜料,怕膜料氧化,离子源充气都是氩气,结果气体分配片消耗好大,感觉气体分配片的金属都镀到膜里面去了,气体分配片用不了40小时就穿孔了,这个该怎么去设置气体?是不是还是要充一些氧或者改用特殊材质的气体分配片,现在用的气体分配片是不锈钢的
    离线ouyuu
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    只看该作者 6楼 发表于: 09-03
    回 quan6658 的帖子
    quan6658:镀红外膜用霍尔源是比射频源更好吗?我们用霍尔源镀红外膜料,怕膜料氧化,离子源充气都是氩气,结果气体分配片消耗好大,感觉气体分配片的金属都镀到膜里面去了,气体分配片用不了40小时就穿孔了,这个该怎么去设置气体?是不是还是要充一些氧或者改用特殊材质的气体分配片,现在 .. (2025-08-30 16:44)  }0& @J'<  
    umt*;U=  
    射频源因为离子速度高(加速电压高),所以对折射率的提高比较大, 8.S&J6  
    也就是说折射率的稳定性来讲,射频源不如霍尔源。(因为霍尔源提高不多) =i_ s#v[Y  
    红外膜因为厚度大,如果没有直控的话,确实霍尔源要比射频源更容易控制。 E>t5/^c)*w  
    因为折射率来讲霍尔源更稳定。 !Nu ~4  
    RqV* O}Am  
    红外膜料是硫化锌吗?硫化锌只能用氩气。 -RisZ-n*  
    气体分配片你可以选用一些高熔点的金属做,不过成本会很高。 HzcI2 P`|  
    比如说钨、钼、石墨……
    离线quan6658
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    只看该作者 7楼 发表于: 09-09
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:射频源因为离子速度高(加速电压高),所以对折射率的提高比较大, _>b=f  
    也就是说折射率的稳定性来讲,射频源不如霍尔源。(因为霍尔源提高不多) 6ol*$Q"z  
    红外膜因为厚度大,如果没有直控的话,确实霍尔源要比射频源更容易控制。 _#9F@SCA  
    因为折射率来讲霍尔源更稳定。 t)!(s,;T  
    ....... (2025-09-03 01:30)  })v`` +  
    &7K 4tL  
    谢谢版主解答