|
|
技术背景 R'`qK c
随着极紫外光刻（EUV）、空间激光通信等领域的精度需求逼近物理极限，传统接触式加工已难满足需求。本文对比两种前沿工艺： [nG<[<0 G; 1. 反应离子束刻蚀（RIBE） Nk
8 B_{ - 优势： B+VubUPMS
各向异性刻蚀（纵横比>10:1），适合微棱镜阵列加工 - 原子级去除（0.1nm/cycle），理论面型精度可达λ/50
n;Q7X>-f8` 瓶颈： - 设备成本高（>200万美元）
- 大曲率元件边缘刻蚀均匀性控制（需动态束流校正）
2. 飞秒激光诱导等离子体加工（FLIP） #u(^0'
P - 创新点： R)( T^V`{
利用非线性吸收效应（阈值~2J/cm²），实现亚波长结构直写 - 加工热影响区（HAZ）<50nm，避免晶格相变
K5VWt)Z # 挑战： - 重复定位精度需达±0.1μm（对运动平台要求极高）
- 表面粗糙度Ra>1nm，需后续辅助抛光
技术路线投票 =/+-<px - 您更看好哪种技术方向？ _L UhZlw
A) RIBE的确定性去除更适合量产 b:m88AG
B) FLIP的多功能性适应复杂微结构 sPQQ"|wU
C) 其他（请回帖说明）
$}q2 3
|
