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摘要
y@2$sK3K ;+(EmD:Q 光栅结构广泛应用于各种光学应用场景,如光谱仪、近眼显示系统、脉冲整形等。快速物理光学软件VirtualLab Fusion通过使用傅里叶模态方法(FMM,也称为RCWA),为任意光栅结构的严格分析提供了通用和方便的工具。为此,复杂的一维或二维周期结构可以使用界面和调制介质进行配置,这允许任何类型的光栅形貌进行自由的配置。在此用例中,详细讨论了衍射级次的偏振态的研究。 JSu+/rI1 l0nm>ps'D
<BX'Owbs!O owKOH{otf 任务说明 ?CSv;: ^udl&> Gz kvj:(V "?r_A*U 简要介绍衍射效率与偏振理论 ;:Q&Rf"@% 某个衍射级次(𝑛)的效率表示有多少的辐射功率被衍射到这个特定的级次中。它是由复数值瑞利系数计算出来的,瑞利系数包含了每个衍射级次(矢量)电磁场的全部信息。瑞利系数本身是由FMM对光栅的特征值问题进行严格分析的结果。 UtYwG#/w 如果在TE/TM坐标系(CS)中给出瑞利系数,则可以计算衍射效率: @*^%^ P Un^3%=; 其中,n_in/n_out为覆盖层和衬底层的折射率,ϑ_in/ϑ_out为所分析的阶次的入射角和衍射角。此外,𝐴表示辐射光的振幅。 :`<ME/"YE 如果瑞利系数沿𝑥、𝑦和𝑧给出瑞利系数,则必须应用以下方程: rPUk%S o%)38T*n3 因此,必须考虑所给出的瑞利系数的坐标系。默认情况下,光栅坐标系中为 。 MNu\=p\Eq nk.j7tu 光栅结构参数 @s7wKk 研究了一种矩形光栅结构。 i>{.Y}; 为了简化设置,选择光栅配置,只允许零阶(R_0)反射传播。 d$#DXLA\P 根据上述参数选择以下光栅参数: 2 i97 光栅周期:250 nm A?4s+A@Eg 填充因子:0.5 Ee097A?1vj 光栅高度:200 nm k4+ Q$3" 材料n_1:熔融石英(来自目录) _qvzZ6 材料n_2:二氧化钛(来自目录) c$b~?Mx |h^]`= 3 f <pJ_ -n~%v0D8c 偏振态分析 :]uz0s`> 现在,用TE偏振光照射光栅,并应用圆锥入射角(𝜑)变量。 :)DvZx HE@ 如前所述,瑞利系数的平方振幅将提供关于特定级次的偏振态的信息。 BI :O?!:9) 为了接收瑞利系数作为检测器的结果,需要选择光栅级次分析器件中的单个级次输出,并选择所需的系数。 Y^-D'2P]P L7PMam n#"N"6s /4{IxQk 模拟光栅的偏振态 -h%1rw 9^1li2z k{
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>B$J 瑞利系数现在提供了偏振态的信息: y7U?nP ')+ 在圆锥入射角为0(𝜑=0)时, 。这说明衍射光是完全偏振的。 Kdr}7#c 对于𝜑=22°, 。此时,67%的光是TM偏振的。 ]:}x 4O# 对于𝜑>50°,系数接近为常数,因此偏振态也是常数。 Rg%Xy`gS %6cbHH Passilly等人更深入的光栅案例。 tJ9gwx7Pg Passilly等人的工作研究并优化了亚波长光栅下衍射光谱的偏振态,以获得不同状态之间的高度转换。 -fT}Nj\ 因此,他们将模拟结果与制作样品的测量数据进行了比较。 X3R:^ff\ }dpE>
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Q Xz\ X 8I 光栅结构参数 Rgb&EnVW 在本文中,研究了两种不同的制备光栅结构。 rbc7CPq_^ 由于加工造成的光栅的理想二元形状的一些偏差是可以预料的,而且确实可以观察到:在基板和侧壁上存在不完全平行的欠刻蚀部分。 ^a?g~G 由于缺少关于制作结构的细节,我们将其简化为VirtulLab Fusion中的模拟。 wj 15Og? 但是如果有可用数据,就可以详细分析光栅的复杂形状。 6wH:jd9,
Q9{f'B )*nZ6Cg' 光栅#1——参数 tOxTiaa= 假设侧壁倾斜为线性。 &}!AjA) 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。 h.4FY< 为了实现光栅脊的梯形形状,采用了倾斜光栅介质。 4azqH;i 光栅周期:250 nm #+(@i|!ifo 光栅高度:660 nm (CrP6]= 填充因子:0.75(底部) F!zGk(Pu 侧壁角度:±6° 'c#AGi9 n_1:1.46 `*y%[J,I# n_2:2.08 x{9$4d z C7 b
/5y _ < iiv`ji 光栅#1——结果 9v?rNJs 这两幅图对比之下匹配度很高,特别是图表的趋势。 [E)&dl_k 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。 Q=t_m(:0 Qt.|YB8
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光栅#2——参数 l._g[qa 假设光栅为矩形。 }gKY_e3 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。 o ]@'R<F(u 矩形光栅足以表示这种光栅结构。 cv-;fd>' 光栅周期:250 nm aEn*vun 光栅高度:490 nm 5#mHWBGd7 填充因子:0.5 OlX#1W] n_1:1.46 p<c1$O* n_2:2.08 IAMtMO^L V(;c#%I2 uoTc c|Kc C=(~[ Y 光栅#2——结果 J~)JsAXAI 这两幅图对比之下再次显示出非常好的匹配度,特别是图表的趋势。 =Y*zF>#lP 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。 TecWv@. ce7$#
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