hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) CDCC1BG"  
9XOyj5  
严格的 OPC 和源优化 (h,Ws-O  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状
DsQ/aG9c%  
可检测性 BX3lPv  
印刷适性 88o:NJ}_  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) $E.XOpl&I  
~gddcTp  
双重图案 GV6mzD@<  
1X&B:_  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ])N%^Qe$U  
光刻冻结 光刻蚀刻 I%xn,u  
侧壁间隔物 aR)?a;}H  
晶圆形貌效应 MZ~.(&  
非平面光阻 ea~i-7  
首次接触时的潜在特征 o;QZe&  
tlGWl0V?7Q  
相移掩模版 #ZTLrq5b  
y x;h  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 a
5V=!OoMk  
相位缺陷 .$wLLE^*  
湿法蚀刻/双沟槽 @a(oB.i  
无铬相光刻 j@v-|  
衰减相移掩模版 D9o*8h2$  
脱保护收缩的 NTD |M E{gy`5  
SEM 诱导收缩 p(?3 V  
EUV 和 DUV 的随机效应 )4uq iA6  
PEB 扩散效应 N-%#\rPq.  
表面抑制 jONjt(&N  
温度效应 h8.FX-0& =  
侧壁分析 -3vh!JMN  
内外角偏差分析 ^:z7E1~  
拉回 l%<c6;  
最高亏损 sykFSPy`'  
{^m5#f 0"  
薄膜堆叠分析 61:9(*4~!F  
x'i0KF   
BARC 优化 
MaErx\  
多层镜反射率 P)1
EA;  
抵抗厚度效应