hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) #V4kT*2P)  
VV/6~jy0  
严格的 OPC 和源优化 lWj|7  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 w_30g6tA  
可检测性 /]=dPb%  
印刷适性 g?V>+oMx  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) (eS/Q%ZGK  
K-Bf=7F,  
双重图案 b2;+a(  
 SJY<#_b  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 Ux_tHyc/  
光刻冻结 光刻蚀刻 fFD:E} >5  
侧壁间隔物 D[.; H)V  
晶圆形貌效应 .k5 TQt  
非平面光阻 +^% y&8e  
首次接触时的潜在特征 [t55Kz*cD  

i_OoR"J%  
相移掩模版 9z9z
:PU  
wN,DTmtD  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 G)28#aH  
相位缺陷 eto3dJ!R  
湿法蚀刻/双沟槽 y(&JE^GfX  
无铬相光刻 +RexQE  
衰减相移掩模版 fI"q/+  
脱保护收缩的 NTD k)D:lpxv  
SEM 诱导收缩 O_8ERxj g]  
EUV 和 DUV 的随机效应 {~DYf*RZ  
PEB 扩散效应 @MIBW)P<  
表面抑制 T1bPI/  
温度效应 H!U\;ny  
侧壁分析 W69 -,w/  
内外角偏差分析 l1^/Q~u  
拉回 XWvT(+J  
最高亏损 4`@]jm  
t ZUZNKODW  
薄膜堆叠分析

%=x|.e@J  
*<*{gO?Q4
 
BARC 优化 -|^}~yOx0=  
多层镜反射率 *z4n2"<l  
抵抗厚度效应