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1. 建模任务 Q }K"24`= 1.1. 模拟条件 &P}_bx 光源: EML Emitter (Unit source) H0gbSd+ 偶极子方向: Polarization /1V xc 6 Ex=Ey=1/Phase=-90˚, 90˚ (circular polarization) ^]0Pfna+N 波长: 380~780 nm (10 nm step) o ! Ieb 视角: Theta: 0˚~90˚(10˚ step)/ Phi: 0˚~360˚(10˚ step) 6"5A%{ J gpvYb7Of0 1.2 堆栈结构 *-=(Q` 3 Zd}9O jz 5
 gw3K+P PI:4m%[ 2. 建模过程 .* ?wF
F Q7T'G z2_*%S@ =_ ./~ 2.2 使用材质或层定义 1D 结构 HU8900k+
~Z?TFg
 Vl /+;6_ "fCu=@i 2.3 设置和编辑膜层的属性(Emitter) m '|b GV rq/yD,I,
 , j2Udn}
fF$<7O)+] 3. 结果分析 0w \z LU
~ Ei $nV 极坐标图结果 g1/[e oZzk
`iAF3:
 h-#6av : :0j?oY~e 等高线图结果 LqoB 10Kc\
6 Z6'}BDP
 B:;pvW]
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