请问各位前辈 A2jUmK.&
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 G*P#]eO
若使用Source Diode 81
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虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 DN5 7p!z
但其所建立的光源为一点光源
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若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀?
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至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 wEvVL
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! 0^K">