请问各位前辈 S*a_
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 ZJ}|t
若使用Source Diode ^vr`t9EE
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 qW t 9Tr
但其所建立的光源为一点光源 /Avl&Rd
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? u|8yV.=R
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 QW6\~l 4
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! A!p70km2