请问各位前辈 E n7~wKF
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 }Nr6oUn
若使用Source Diode "SN*hzs"]`
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 }W^@mi
但其所建立的光源为一点光源 (m'-1wX.
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? nFJW\B&(`
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 rCF=m]1zxT
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! ;h1hz^Wq