1. 建模任务 di )L[<$DY 1.1
模拟条件
z9Rp`z&`E 模拟区域:0~10
J)p
l|I 边界条件:Periodic
-]M5wb2, 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
hZt!/?dc 单位长度:0.5
V1B5w_^>h'
8&b,qQ~ tf`^v6m%] 1.2堆栈
结构 28d'7El$ m^;f(IK5 2. 建模过程 }b.%Im<3R 2.1设置模拟条件
XUuN )i
]>Es4 s h>m"GpF
x 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 oe-\ozJ0 amY!qg0P* wNd isI 2.3创建掩膜并生成多畴结构
[S!/E4>[' Z4
=GMXj 3. 结果分析 sD#.Oq4&]y 3.1 指向矢分布和透过率
Qd3 j%( ]Er$*7f -PR N:'T 3.2所有畴的V-T曲线
~2-1 j Vs!Nmv` </*6wpN 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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