1. 建模任务 1vxQ`) a 1.1
模拟条件
+k~0&lZi 模拟区域:0~10
3+(lKd 边界条件:Periodic
}2iR=$2 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
*C<;yPVc 单位长度:0.5
lfre-pS+
?~4x/d% O6vxp?:^ 1.2堆栈
结构 szb@2fK <i]0EE}% 2. 建模过程 w%8y5v5 2.1设置模拟条件
@0]WMI9B"B
~KYzEqy W]bgWKd 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 nO!&;E& z;F HZb9t, 9x|`XAB 2.3创建掩膜并生成多畴结构
C*3St`2@9 Em^~OM3U$q 3. 结果分析 ^m&I^ \ 3.1 指向矢分布和透过率
wDGb h= MkL2I+* dR;N3KwY 3.2所有畴的V-T曲线
7 4MxU b9m`y*My |w54!f6w_ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
~J&-~<%P}