1. 建模任务 rh66_eV 1.1
模拟条件
]W/>Ldv 模拟区域:0~10
Rb EKP(uw 边界条件:Periodic
;'0=T0\ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
FQk!d$BG 单位长度:0.5
Od##U6e`
~W-cGb3c H}/05e 1.2堆栈
结构 "u492^ |
&7S8Q 2. 建模过程 V%*b@zv 2.1设置模拟条件
z=g$Exl
j/KO|iNL2 jo9gCP. 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 v+xB7w wMWW=$h#\ aJzLrX 2.3创建掩膜并生成多畴结构
PyBD g<wRN#B 3. 结果分析 pr&=n;_ n 3.1 指向矢分布和透过率
IeP
WOpj3 02=ls V!U ;wHCj$q 3.2所有畴的V-T曲线
O"Q7Rx esX)"_xf fQdK]rLj 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
tU:EN;H