1. 建模任务 2w_W Adi 1.1
模拟条件
)ufg9"\ 模拟区域:0~10
f]|ysf 边界条件:Periodic
!^=*Jq> 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
9N<<{rQ,F 单位长度:0.5
l(u.I2^o
, 5kKimTt =/Mq 5. 1.2堆栈
结构 s'a/j)^ t2"O 2. 建模过程 G_{&sa 2.1设置模拟条件
C8e
!H
D 38$`j L z!,kwg 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 TI#''XCB5 sCi s4gX.] %Bn?n{/ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
\h D dU+ lB4GU y$ 3. 结果分析 V\6[}J 3.1 指向矢分布和透过率
<2|O:G =aA+~/~8% %Nhx;{ 3.2所有畴的V-T曲线
Rhz_t@e ph [#QHB c^u"I'#Q 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
oA7;.:3