1. 建模任务 F*IzQ(#HW 1.1
模拟条件
&]`(v}`] 模拟区域:0~10
#M9~L[nFS 边界条件:Periodic
39:bzUIF 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
',9V|jvK 单位长度:0.5
-ws? "_w ^E;kgED5 K"|l@Q[ 1.2堆栈
结构 ^q{9 _zY#U9 2. 建模过程 aI P 2.1设置模拟条件
.~~nUu+M &S~zNl^m tr<Nm6! 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 iW$_zgN l3Xfc2~ 2 cqQ#p2<% 2.3创建掩膜并生成多畴结构
ZGexdc% zd2)M@ 3. 结果分析 arIf'CG6 3.1 指向矢分布和透过率
MqW7cjg |:nn>E}ZA/ smlpD3?va 3.2所有畴的V-T曲线
gH12[Us'` B,?T% <c2E'U)X 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
j'Gt&\4