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    [求助]离子源前处理时间问题 [复制链接]

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    离线wpawj
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 05-16
    关键词: 离子源
    请教一下,镀膜前的离子源前处理时间多长合适,有什么依据或者判定标准吗?
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 1楼 发表于: 05-17
    和离子源能量强度有关,哪怕同一个离子源,新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 R YNz TA  
    1,用氧离子氧化表面的脏污(脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧,氧化后都变成气体挥发了) ~Zm(p*\T  
    2,用重离子把表面打出凹凸不平的效果,增加表面的结合力。 2LdV=ifq2S  
    所以也和你清洗效果,清洗方式,镀膜温度,镀膜材料有关。 Me>'QVr  
    1条评分光币+1
    xzaxd 光币 +1 优秀文章,支持! 05-17
    离线zhangsui666
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    只看该作者 2楼 发表于: 05-17
    一般来说轰击15分钟左右就够,但是还是在进炉前清洗工作一定要仔细,离子源主要为了辅助沉积。
    离线renlgj
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    只看该作者 3楼 发表于: 07-21
    学习一下,新手中
    离线renlgj
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    只看该作者 4楼 发表于: 07-27
    学习了,谢谢各位大神
    离线gaofei555
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    只看该作者 5楼 发表于: 07-30
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:和离子源能量强度有关,哪怕同一个离子源,新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 mF1oY[xa_  
    1,用氧离子氧化表面的脏污(脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧,氧化后都变成气体挥发了) ";~#epPkX  
    2,用重离子把表面打出凹凸不平的效果,增加表面的结合力。 }S&{ &gh  
    所以也和你清洗效果,清洗 .. (2024-05-17 08:57)  3FdoADe{{  
    J 4gIkZD  
    学习了