[求助]离子源前处理时间问题 [复制链接]

请教一下，镀膜前的离子源前处理时间多长合适，有什么依据或者判定标准吗？

和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 K_L7a>Fr  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） }:faHLYT  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 3>VL>;75[  
所以也和你清洗效果，清洗方式，镀膜温度，镀膜材料有关。 q]: 72+  

一般来说轰击15分钟左右就够，但是还是在进炉前清洗工作一定要仔细，离子源主要为了辅助沉积。

学习一下，新手中

学习了，谢谢各位大神

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 R+0
fs$su  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） ]D@aMC$#  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 /C`AA/@  
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57)  -|#/KKF  

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学习了

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 >9g^-~X;v  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） z&
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2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 KJ-Q$ M  
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57)  S]&i<V1qX  

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学习了。感谢版主分享。