在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: ~zXG<}n
• 生成材料 .}L-c>o"o
• 插入波导和输入平面 \Owful
• 编辑波导和输入平面的参数 $UFge%`,q@
• 运行仿真 IGh !d?D
• 选择输出数据文件 t%]^5<+X58
• 运行仿真 'S%} ?#J
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 EPE!V>
&;~2sEo,
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 xN{"%>Mx
uFm(R/V
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: S|RpA'n
• 定义MMI星型耦合器的材料 bo~{<UT
• 定义布局设置 z^ a6%N
• 创建MMI星形耦合器 `Q1WVd29
• 运行模拟 cKi^C
• 查看最大值 6h0U
• 绘制输出波导 'Ec:l(2Ec
• 为输出波导分配路径 <y\
Z#z
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 m! '1$G
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 3j=%De
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 @qO8Jg"Q
1. 定义MMI星型耦合器的材料 7q2"b?|h
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 fbzKO^Ub
步骤 操作 /BjGAa(
1) 创建一个介电材料: +GYI2
名称:guide U Qi^udGFD
相对折射率(Re):3.3 N[
Lz 0c?
2) 创建第二个介电材料 ${I@YSU
名称: cladding U>plv
相对折射率(Re):3.27 $ )TF,-#x
3) 点击保存来存储材料 lM|WOmD
4) 创建以下通道: e`Zg7CaDd
名称:channel R26tQbwE
二维剖面定义材料: guide ?N!j.E4=
5 点击保存来存储材料。 ]|$$:e^U9
Y?vm%t`K
2. 定义布局设置 X%9xuc
要定义布局设置,请执行以下步骤。 q5\LdI2
步骤 操作 [P&,}o)+E0
1) 键入以下设置。 n0_Az2
a. Waveguide属性: PRk%C0`
宽度:2.8 J_wz'eIb0
配置文件:channel MMA@J
b. Wafer尺寸: @aD~YtL"n
长度:1420 |phWK^
宽度:60 WGG)
mh&-
c. 2D晶圆属性: >ya-
材质:cladding + $a:X
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 !VJa$>,
K7O?{/
3. 创建一个MMI星型耦合器 q' V{vFfY%
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 6% y)
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 "xc*A&Sg
步骤 操作 F",abp!
1) 绘制和编辑第一个波导 wY
;8UN
a. 起始偏移量: ^R'!\m|FR
水平:0 8}#Lo9:,d
垂直:0 OI}HvgV^!
b. 终止偏移: 4e#K.HU_
水平:100 KW6" +,Th
垂直:0 ,sJfMY
2) 绘制和编辑第二个波导 )B&<Bk+
a. 起始偏移量: kt3#_d^El
水平:100 *4^]?Y\*
垂直:0 taEMr> /
b. 终止偏移: RHAr[$
水平:1420 g5 |\G%dOt
垂直:0 ~0'l,
c. 宽:48 h%^kA@3F
3) 单击OK,应用这些设置。 #:zPpMAl
U(]5U^
,h`D(,?X
4. 插入输入平面 zPkPC}f(O
要插入输入平面,请执行以下步骤。 molowPI
步骤 操作 ?E_p ,#9j)
1) 从绘制菜单中选择输入平面。 >`|uc
2) 要插入输入平面,请单击布局窗口的左侧。 &