主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
F<VoPqHq • 定义MMI耦合器的
材料;
|p}qK
Fdi • 定义布局设定;
Tapj7/0` • 创建一个MMI耦合器;
u6j\@U6 I • 插入输入面;
l.Iov?e1S • 运行
模拟;
e4ym6q<6! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
%#7Yr(& eX;C.[&7;8 1. 定义MMI耦合器的材料
fL>>hBCqC 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
H:TRJ.!w2 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
NBU[> P v2][gn+58 图1.初始性能对话框
B@U;[cO& 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
!36jtKdM *z&m=G\ 图2.轮廓设计窗口
Ev+m+ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
~`~mnlN FwKT_XkY 图3.电介质材料创建窗口
'7Q5"M'
4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
kqdF)Wa am − Name : Guide
K=nW|^ − Refractive Index (Re) : 3.3
2j*;1 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
u2}zRC= MZ]#9/ 图4.创建Guide材料
6HeZ<.d& 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
g:V8"' − Name : Cladding
b+7!$ − Refractive Index (Re) : 3.27
9O1#% − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
5'*v-l,[ #[=%+ *Q
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 &iYy
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
VjsQy>5m − Name : Guide_Channel
>,;,
6|S − 2D profile definition: Guide
m$6u K0 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
zI1-l9 o !}
~K'1" 2vbm=~)$F
N{rC#A3
图6.构建通道
2. 定义布局设定
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