切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 661阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6374
    光币
    26015
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: coYij  
    • 定义MMI耦合器的材料 UOQEk22  
    • 定义布局设定; W3`>8v1?o  
    • 创建一个MMI耦合器; 21k5I #U  
    • 插入输入面; fXrXV~'8  
    • 运行模拟 6'\6OsH  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ),%6V5a+E  
    Y5fLmPza  
    1. 定义MMI耦合器的材料 h-iJlm  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: +`3!I  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ Gt9&)/#  
    9x,RvWTb  
    图1.初始性能对话框
     hi g2  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” xsWur(>]  
    Y*mbjyt[?X  
    图2.轮廓设计窗口
    v<Bynd-  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 t_mIOm)S%  
    7 |DHplI  
    图3.电介质材料创建窗口
    9UvXC)R1  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: Mq';S^  
    − Name : Guide N !TW!  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 !w&kyW?e  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Q:J^"  
    f/CuE%7BR  
    图4.创建Guide材料
    s-dLZ.9F  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: !^Q.VYY  
    − Name : Cladding Jx'i2&hGN  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 '\jd#Kn'h  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 l<M'=-Y  
    mKYeD%Pm*  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 T#bu V  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ca+[0w@S  
    − Name : Guide_Channel ;WldHaZ9r  
    − 2D profile definition: Guide YM5fyv?  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 :;t #\%L/  
    sXNb}gJ  
    610D% F  
    =]k {"?j  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 |!y A@y?  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: _{M\Bs2<  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 x W92ch+t  
    − Width:2.8 T?4G'84nN  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 /lafve~  
    − Profile:Channel-Guide GguFo+YeZ  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    .!JVr"8  
    PfkrOsV/m  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: aF7nvu*N  
    − Length:5300 $0arz{Oh  
    − Width:60 id$Ul?z8  
    图8.设置晶圆尺寸
    ngGO0  
    z $MV%F  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: P6MRd/y |  
    − Material:Cladding ne^imht  
    − 点击OK以激活布局窗口 M,ir`"s  
    图9.晶圆材料设置
    Z}-Vf$O~  
    iDf,e Kk$'  
    4) 布局窗口 wY"Q o7  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    KoS*0U<g6  
    5O`dO9g}$  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: %$TGzK1  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 %Ts PyiYl  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 &d'Awvy0  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 NH0qVQ@A  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 IEyL];K  
    图12.最终布局显示
    g (#f:"  
    [V}S <Xp  
    3. 创建一个MMI耦合器 . BiCBp<  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: uPniLx\t:  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 &7_Qd4=08w  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 T 6~_Q}6  
    yS=oUE$  
    图13 .绘制第一个线性波动
     
    分享到