切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1211阅读
    • 0回复

    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7244
    光币
    30361
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-03-28
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: +rw?k/  
    • 定义MMI耦合器的材料; )uvs%hK  
    • 定义布局设定; z+K-aj w  
    • 创建一个MMI耦合器; L> ehL(]!  
    • 插入输入面; j {w'#x,  
    • 运行模拟; e`pYO]Z  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 @)A)cBv#  
    }Fd4; ]  
    1. 定义MMI耦合器的材料 U ~j:b{  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: IJxBPwh  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ }pJ6CW  
    ?v4-<ewD  
    图1.初始性能对话框
    $4^cbk  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” '?Mt*%J@=$  
    }Ut*Y*  
    图2.轮廓设计窗口
    P|> fO'  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 G_GV  
    cFcn61x-  
    图3.电介质材料创建窗口
    t$NK{Mw5_  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: &b[ .bf  
    − Name : Guide f}JiYZ  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 AJ_''%$I3:  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 k e'aSD  
    -nVQB146^  
    图4.创建Guide材料
    A"(XrL-pV  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: &cDLSnR  
    − Name : Cladding woCmpCN*I  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 <L4.*  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 WmO.&zp  
    k3F* D  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 lSGtbSyDI  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: $#3O:aW  
    − Name : Guide_Channel p"A2N +  
    − 2D profile definition: Guide kD&% 7Vz  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 a$0,T_wD  
    F't4Q  
    \ 5MD1r}  
    KIY/nu   
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 bXVH7Fy  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: =L,s6J8_'  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 >?-etl  
    − Width:2.8 v2OK/W,0  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 > -P UY  
    − Profile:Channel-Guide uw!w}1Y]}2  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    8+HXGqcv  
    Lp!4X1/|\  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: uY{zZ4iw  
    − Length:5300 %sd1`1In  
    − Width:60 (OA-Mgyc  
    图8.设置晶圆尺寸
    /WvF}y  
    'o D31\@I  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: $1aJdZC7  
    − Material:Cladding %2H0JXKa,  
    − 点击OK以激活布局窗口 Hz?C9q3BX  
    图9.晶圆材料设置
    <c` + f PW  
    ( (.b&  
    4) 布局窗口 /INjP~C  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    <+7]EwVcn^  
    T;7=05k<_  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: u'Od~x^z  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 M)m(  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 6wIo95`  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 T\ixS-%^  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 79m',9{u  
    图12.最终布局显示
     "! -  
    ua!i3]18  
    3. 创建一个MMI耦合器 ivgV5 )".  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: CcGE4BB  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 caG5S#8-"  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 *Sd}cDCO%  
    LS"_-4I}  
    图13 .绘制第一个线性波动
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到