主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
J@QOF+ & • 定义MMI耦合器的
材料;
}{kn/m/ • 定义布局设定;
XfflD9M • 创建一个MMI耦合器;
zqURnsJ • 插入输入面;
'T(Q • 运行
模拟;
e&E7_ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Vk2%yw> ~*J
<lln 1. 定义MMI耦合器的材料
K:% MhH- 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
9I`0`o"A 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
mY[*Cj3WJ &ld<fa(w+2 图1.初始性能对话框
b4EUrSL 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
WncHgz 97<Z,q72Y 图2.轮廓设计窗口
K9Onjs%U 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
Y]Z& wWSw0 H/ 图3.电介质材料创建窗口
W7(5z 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
$at\aJ − Name : Guide
&
P%# − Refractive Index (Re) : 3.3
}D`ZWTjDay − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
`Y+R9bd &y7=tEV 图4.创建Guide材料
TXT<6( 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
9UV}`UM3V − Name : Cladding
XH0o8\. − Refractive Index (Re) : 3.27
TaaCl#g$? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
f="Zpl W Z\]LG4N? 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 |'u BkL0q
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
}}u`*&,g − Name : Guide_Channel
C3N1t − 2D profile definition: Guide
st~l|| − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
kGC*\?<LmR
m5a'Vs L]Xx-S
ZsCwNZR
图6.构建通道
2. 定义布局设定
smn(q)tt 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
68w~I7D> 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
nr8#;D − Width:2.8
8e
?9:VM] 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
2^75|Q − Profile:Channel-Guide
%rf6> 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
|/c-~|% n5efHJU 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
S6C DK: − Length:5300
k]P'D
. − Width:60
@MoCEtt 图8.设置晶圆尺寸
ke KsLrd *a0#PfS[ 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:
'/rU<.1 − Material:Cladding
wuxOFlrg − 点击OK以激活布局窗口
%KN2iNq 图9.晶圆材料设置
Xr4k]'Mg WX`wz>KK^ 4) 布局窗口
1K)9fMr] 图10.默认情况下布局窗口显示
wr(*RI" O3dQno 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:
j~=<O<P − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
*lu*h&Y