摘要 l^%W/b> ?b
2uM\?*T@
I9;,qd%<T u ~q6?*5 元件内部场分析器：FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此，使用傅立叶模态法/严格耦合波分析（FMM/RCWA）计算周期性结构（透射或反射、电介质或金属）内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化：正向模式、反向模式或两者同时显示。
l r_c :LEC[</yvl 元件内部场分析仪：FMM %6@->c{
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K/ 5U;oC 元件内部场分析器：FMM是
光栅光学装置的独有功能，可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
hTVA^j(w s+OXT4>+ 评估模式的选择 l's*HExR _Kf8,|+ IG=# 2 /$ 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场，可以仅评估正向或反向传播模式，或者评估两者的总和。
$c<NEt_\ .7|Iausv 评价区域的选择 `PApmS~}
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1o8 8 rY[Q(] Cmj+>$')0 元件内部场分析器：FMM可以输出整个元件（包括基板）内部的场，或者只输出一个堆栈或基块（基板）中的场。
$ I }k>F r>ca17 不同光栅结构的场分布 r`GA5 }M A$ Ok^ 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子：
's_[ #a;Vp Iu| 4QE 8*Ke;X~N 光栅结构的采样 Vx*O^cM @pkQ2OM
2 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项，但
系统中定义的光栅表面必须正确采样（例如，分解点和过渡点的层数足够）。
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^'ac |+ 1E]TH/JK S@Q4fmH 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
-b$m<\0* f )Ef- o 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛，即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如，如果层分解过于粗糙，则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
,Vr-E *~ SanL\ Jwt_d }ns 输出数据的采样：一维周期光栅（Lamellar） e-Ma8+X\ ]L{diD 2G yeqH eZ 对于1D周期性（片状）光栅，分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
,,HoD~]rd -fCR^`UOS 输出数据的采样：二维周期光栅 ]m <z xh|<`>5 当分析的光栅设置为2D Periodic时，Field Inside Component Analyzer：FMM将通过结构生成一系列二元截面，z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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