. 建模任务 GoXHVUyp 1.1
模拟条件
Ds/zl Z 模拟区域:0~10
EFO Q;q 边界条件:Periodic
M,lu)~H 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
MkG->* 单位长度:0.5
=7@
{$.{VE+v5 m8`A~ 1.2堆栈
结构 C*<LVW{P '1*MiFxKq 2. 建模过程 sIM`Q% 2.1设置模拟条件
QY!A[!6h
1Pc'wfj }DwXs` M7 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 vsR&1hs Fv
B2y8&W 4QDzG~N4)| 2.3创建掩膜并生成多畴结构
CiFbk&-g JJO"\^,;~ 3. 结果分析 :W55JD' 3.1 指向矢分布和透过率
]e9kf$' zE{zX@ KcE=m\ h 3.2所有畴的V-T曲线
<9vkiEo )nV x 2m4 W[DB!ue 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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