. 建模任务 @Qc[' V) 1.1
模拟条件
? ! 1uw 模拟区域：0~10
:Dr&
{3> 边界条件：Periodic
.cZ&~ N 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
([9h.M6v 单位长度：0.5
caj) ?pF ;{
s9 E: 6 1.2堆栈
结构 giu~"#0/F Aoo'i 2. 建模过程 B EI/OGp 2.1设置模拟条件
ReK@~#hLY s~]nsqLt9p
^c(PZ,/#JB 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 R<U?)8g,h~ zA"D0fr /p%K[)T( 2.3创建掩膜并生成多畴结构
G8;S`-D1a, !< YRocQY 3. 结果分析 }zobIfIF 3.1 指向矢分布和透过率
HRb_ZJz U/iAP W4U 3 x=F 3.2所有畴的V-T曲线
M5x!84 Qs?+vk?*h cL Yc" "= 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
Zgg 7pL)#c
