. 建模任务 opa/+V3E4 1.1
模拟条件
'{d _q6,% 模拟区域：0~10
3bR xV
@0. 边界条件：Periodic
o#m31* o 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
";/]rwHa) 单位长度：0.5
Ct=bZW"j/ VzG|Xtco [
l,@>J9}Se 1.2堆栈
结构 kQ+y9@=/g dk&F?B{6T 2. 建模过程 <'=!f6Wh 2.1设置模拟条件
A{_CU-, ?b_E \8'q]
n.+*_c8 k 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 C%4ed# R0?bcP& 24wDnDyh 2.3创建掩膜并生成多畴结构
*;Kp"j Qa2h#0j 3. 结果分析 *R 6lK& 3.1 指向矢分布和透过率
(;fJXgj. FVXsu!R *f+s 3.2所有畴的V-T曲线
^wy 6mcb'hy u7e$Mq 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
c]pz&
