. 建模任务 h|
q!Qsnj' 1.1
模拟条件
MmUtBT 模拟区域:0~10
=eG?O7z& 边界条件:Periodic
/{Ff)<Q.Z 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
c@H_f 单位长度:0.5
*sNZ.Y:. /^_~NF# 5G5P#<Vv 1.2堆栈
结构 oU/CXz?H )P&>Tc?;z 2. 建模过程 A4;EtW+F 2.1设置模拟条件
`PML4P[ QwF\s13 CeL`T:]r 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 fTQ_miAlP ;. jnRPo"; b{T". @b 2.3创建掩膜并生成多畴结构
>q W_% XLwmXi 3. 结果分析 5:3%RTLG 3.1 指向矢分布和透过率
-+1_ 1! {+D
6o )6K Q"* 3.2所有畴的V-T曲线
s?qRy
2 nR%ASUx:Y e,j2#wjor 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
fL3Px