镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
*kTp(*K/7` 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
l7VTuVGUJ ~dLbhjden
2$!,$J-<Y _zzNF93Bn
Q2woCxB J>;r(j 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
<Uf`'X\e6 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。