镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
YV{^2)^ 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
Fad.!%[ ~fht [S?@M _, ki/7{ jQ"z\}Wf mnG\qsKNLK (\I9eBm 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
NKSK+ll2 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。